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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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我們?cè)谖g刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻...
在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個(gè)能夠抵抗蝕刻過程的掩模定義，其創(chuàng)建過...
通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會(huì)在掩模下蝕刻以形成圓形。可以更精確地控制各向異...
目的： 客戶希望我們用電子束蒸發(fā)器在較高的溫度下沉積ITO薄膜，并且薄膜電阻更小時(shí)薄膜厚度為100 nm時(shí)，薄膜厚度大于100 W/square。 樣品...
本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在11...
使用酸性溶液對(duì)硅晶片進(jìn)行異常各向異性蝕刻
在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅1...
2022-03-09 標(biāo)簽：實(shí)驗(yàn)蝕刻晶片 833 0
已經(jīng)完成了理解硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)的研究。反應(yīng)物克服液相傳質(zhì)阻力和動(dòng)力學(xué)阻力完成反應(yīng)。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置，...
2022-03-08 標(biāo)簽：電阻數(shù)據(jù)蝕刻 1076 0
藍(lán)寶石LED蝕刻的新要求已經(jīng)被引入，因?yàn)長ED照明的新應(yīng)用正在推動(dòng)正確，壽命和穩(wěn)定性的極限。 量子效率的提高正在推動(dòng)新的垂直結(jié)構(gòu)，需要額外的蝕刻要求。 ...
在高頻水溶液中，SiO的蝕刻可以通過電場(chǎng)的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對(duì)溶解過程提出了平行反應(yīng)路徑，并加上電場(chǎng)...
2022-03-07 標(biāo)簽：電位器實(shí)驗(yàn)蝕刻 2199 0
HF、HNO3和H2O體系中硅的化學(xué)刻蝕實(shí)驗(yàn)
本文研究了HF、HNO3和H2O體系中硅的蝕刻動(dòng)力學(xué)作為蝕刻劑組成的函數(shù)。蝕刻速率與蝕刻劑組成的三軸圖顯示了兩種極端的行為模式。在高硝酸組成的區(qū)域，蝕刻...
各向異性蝕刻劑通過掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上產(chǎn)生由（ 100）和（111）平面組成的孔。在這種情況下，孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異...
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對(duì)蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測(cè)量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0....
半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)
摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對(duì)堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效...
摘要 最近從一家工業(yè)薄膜制造商收集的數(shù)據(jù)表明，近 8% 的設(shè)備由于金屬過多或設(shè)備表面上不需要的金屬而被拒絕。實(shí)驗(yàn)和分析表明，這些缺陷中幾乎有一半是由于在...
二極管射頻制備鉭硅金屬陶瓷薄膜的電學(xué)性能。研究了濺射和射頻。用氬氣對(duì)這些薄膜進(jìn)行濺射蝕刻。 可以看出，當(dāng)從鉭面積比超過50%的靶濺射時(shí)，鉭-二氧化硅金屬...
HF/HNO3和氫氧化鉀溶液中深濕蝕刻對(duì)硅表面質(zhì)量的影響
引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進(jìn)行深度濕法蝕...
摘要 公開了一種用于濕法處理襯底的設(shè)備和系統(tǒng)，其可用于化學(xué)處理，例如蝕刻或清洗半導(dǎo)體襯底。該設(shè)備具有處理室，在該處理室中濕法處理襯底。處理液通過開口和噴...
《華林科納-半導(dǎo)體工藝》減薄硅片的蝕刻技術(shù)
摘要 高效指間背接觸太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，需要提供足夠數(shù)量的能源供家庭消費(fèi)。我們認(rèn)為適當(dāng)?shù)牟捎霉廒寮夹g(shù)的IBC電池即使在厚度不足的情況...
第三族氮化物已成為短波長發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測(cè)器和場(chǎng)發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要，因?yàn)樗鼈兙哂挟惓８叩逆I能。綜述了近年來針對(duì)這...
本文首次提出了由標(biāo)準(zhǔn)SC1/SC2腐蝕周期引起的Si (100)表面改性的證據(jù)。SC1/SC2蝕刻(也稱為RCA清洗)通過NH3:H2O2:H2O混合物...
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