蝕刻

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最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

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蝕刻資訊

關(guān)于KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告

引言我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不...

2022-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 470 0

關(guān)于氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻的研究

光增強(qiáng)電化學(xué)（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低、表面損傷較低的優(yōu)點(diǎn)，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切...

2022-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1668 0

對(duì)于不同KOH和異丙醇濃度溶液中Si面蝕刻各向的研究

引言氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(...

2022-01-13 標(biāo)簽：蝕刻晶片 2236 0

各種濕化學(xué)處理方法及其對(duì)表面特性的影響

引言 III-V半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于氣體檢測(cè)系統(tǒng)、光電探測(cè)器、光遺傳學(xué)、生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用、高電子遷移率和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽(yáng)能電池...

2022-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1003 0

鋁蝕刻劑控制研究—華林科納半導(dǎo)體

摘要本文對(duì)本克斯使用的鋁蝕刻劑進(jìn)行調(diào)查，以長(zhǎng)期提高蝕刻部件的質(zhì)量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標(biāo)準(zhǔn)。蝕...

2022-01-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1052 0

基于 KOH 的 AIN 和 GaN 體的選擇性濕化學(xué)蝕刻

我們?nèi)A林科納開(kāi)發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對(duì)于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)有效的襯底...

2022-01-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1099 0

控制堿性蝕刻液的表面張力

引言氫氧化鉀(KOH)和添加劑2-丙醇(異丙醇，IPA)通常用于單晶硅片的堿性織構(gòu)化，以減少其反射。氫氧化鉀和異丙醇在水中的蝕刻混合物需要明確定義氫氧...

2022-01-04 標(biāo)簽：蝕刻晶片表面張力 1178 0

化學(xué)添加劑對(duì)KOH 溶液中Si表面反應(yīng)性的影響

介紹于大多數(shù)半導(dǎo)體而言，陽(yáng)極氧化需要價(jià)帶空穴。因此，人們期望該反應(yīng)發(fā)生在黑暗中的p型半導(dǎo)體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導(dǎo)體。氫氧化鉀溶液中硅的化...

2021-12-31 標(biāo)簽：蝕刻測(cè)量 711 0

Cu雜質(zhì)對(duì)Si(110)濕法蝕刻的影響—蘇州華林科納半導(dǎo)體

引言我們?cè)谖g刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘...

2021-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 544 0

在HF溶液中蝕刻期間GaAs上的砷形成

引言到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術(shù)、輪廓術(shù)和x光電子能譜...

2021-12-28 標(biāo)簽：蝕刻晶片光刻膠 1133 0

低濃度KOH中的各向異性蝕刻

引言在使用濕化學(xué)硅體微機(jī)械加工制造微機(jī)電系統(tǒng)時(shí)，使用堿性溶液，如氫氧化鉀、氫氧化四甲銨和氫氧化銨。除了微機(jī)械加工之外，堿性溶液還用于單晶硅的表面紋理化...

2021-12-28 標(biāo)簽：蝕刻單晶硅 1681 0

用磷酸揭示氮化硅對(duì)二氧化硅的選擇性蝕刻機(jī)理

關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸介紹信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲(chǔ)密度，我們?nèi)A...

2021-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻氮化硅 7444 0

KOH和HCl處理后氧化銦錫表面的表征

引言通過(guò)使用透明導(dǎo)電材料，有機(jī)發(fā)光二極管產(chǎn)生的光的提取已經(jīng)成為可能，該透明導(dǎo)電材料應(yīng)該具有明確定義的電子和光學(xué)特性。銦錫氧化物滿足了所有要求，它已迅速...

2021-12-24 標(biāo)簽：薄膜電子器件蝕刻 1457 0

輔助陶瓷蝕刻的超聲加工

引言陶瓷很難蝕刻。它們的化學(xué)惰性使它們非常穩(wěn)定，并且通常需要熱蝕刻技術(shù)來(lái)獲得它們的微結(jié)構(gòu)。我們介紹一項(xiàng)旨在簡(jiǎn)化陶瓷蝕刻過(guò)程的技術(shù)。陶瓷有著廣泛的應(yīng)用...

2021-12-23 標(biāo)簽：陶瓷蝕刻 847 0

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

引言了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。...

2021-12-23 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 806 0

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：?jiǎn)尉У臐穹ㄎg刻和紅外吸收編號(hào)：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技摘要采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等...

2023-04-23 標(biāo)簽：蝕刻 397 0

MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌...

2020-09-01 標(biāo)簽：CMOS mems 蝕刻 4144 0

PCB板蝕刻工藝說(shuō)明

PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻過(guò)程腐蝕未被保護(hù)的區(qū)域。有點(diǎn)像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過(guò)程中也分正片工藝和負(fù)片工藝之分，正片工藝使用固定的...

2020-07-12 標(biāo)簽：pcb PCB設(shè)計(jì)蝕刻 4904 0

基于MDSN?導(dǎo)電膜的超窄邊框大尺寸電容觸控功能片

烘干后的銀漿層厚度在5μm~8μm的范圍內(nèi)，需要用激光蝕刻3~4次，這樣會(huì)使得激光蝕刻的效率不高，更會(huì)使得激光蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生大量的銀顆粒，很難被完全吸附...

2020-05-13 標(biāo)簽：電容電極蝕刻 4669 0

SMT的基本知識(shí)簡(jiǎn)介

SMT的基本知識(shí)簡(jiǎn)介 1一般來(lái)說(shuō),SMT車間規(guī)定的溫度為253℃。 2.錫膏印刷時(shí),所需準(zhǔn)備的材料及工具錫膏、鋼板﹑刮刀﹑擦拭紙、無(wú)塵紙﹑清洗劑﹑攪拌刀...

2020-04-16 標(biāo)簽：smt 錫膏蝕刻 1.3萬(wàn) 0

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智慧城市就是運(yùn)用信息和通信技術(shù)手段感測(cè)、分析、整合城市運(yùn)行核心系統(tǒng)的各項(xiàng)關(guān)鍵信息，從而對(duì)包括民生、環(huán)保、公共安全、城市服務(wù)、工商業(yè)活動(dòng)在內(nèi)的各種需求做出智能響應(yīng)。
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pt100是鉑熱電阻，它的阻值會(huì)隨著溫度的變化而改變。PT后的100即表示它在0℃時(shí)阻值為100歐姆，在100℃時(shí)它的阻值約為138.5歐姆。
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