KOH硅濕法蝕刻工藝設計研究

在本研究中，我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300m...

2022-03-28 標簽：工藝蝕刻硅片 2644 0

為下一代芯片推出高選擇性蝕刻

通過高選擇性蝕刻，專用蝕刻工具可在 IC 生產過程中去除或蝕刻掉微小芯片結構中的材料

2023-03-20 標簽：芯片半導體晶圓 2631 0

一文詳解光刻膠剝離工藝

雖然通過蝕刻的結構化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本章描述了獲...

2022-07-12 標簽：工藝蝕刻光刻膠 2597 0

濕清洗過程中硅晶片表面顆粒去除

在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導體器件制造中獲得高產量至關重要。因此，濕式化學清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應用...

2023-03-30 標簽：半導體晶圓蝕刻 2586 0

細述幾種高效晶體硅太陽能電池技術

一般高效單晶硅電池采用化學腐蝕制絨技術，制得絨面的反射率可達到10％以下。目前較為先進的制絨技術是反應等離子蝕刻技術（RIE），該技術的優點是和晶硅的晶...

2024-03-19 標簽：太陽能電池蝕刻晶體硅 2566 0

遠程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕...

2023-06-14 標簽：半導體等離子FET 2513 0

半導體工業中表面處理和預清洗的重要性

半導體工業中表面處理和預清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導體接觸的低電阻，酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對于去除有機殘留...

2022-05-26 標簽：半導體蝕刻清洗 2506 0

KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究

在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經進行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會...

2022-05-24 標簽：蝕刻晶片溶液 2428 0

ITO薄膜的蝕刻速率研究

在本研究中，我們華林科納研究了在液晶顯示(LCD)技術中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率，保持浴液溫度恒定，并比較了含有相同濃度的酸的溶液，對I...

2022-07-04 標簽：薄膜蝕刻ITO 2402 0

什么是MEMS？4步圖解MEMS芯片制造

MEMS傳感器是當今最炙手可熱的傳感器制造技術，也是傳感器小型化、智能化的重要推動了，MEMS技術促進了傳感器的極大發展。 MEMS主要采用微電子技術，...

2023-11-02 標簽：傳感器mems蝕刻 2401 0

硅和SiO2的濕化學蝕刻機理

蝕刻機理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(O...

2022-07-11 標簽：蝕刻晶片SiO2 2394 0

關于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更...

2022-01-25 標簽：半導體晶體化學 2384 0

如何對氮化鎵基發光二極管結構進行干法刻蝕

氮化鎵作為一種寬帶隙半導體，已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優...

2022-04-26 標簽：發光二極管氮化鎵蝕刻 2351 0

在HF水溶液中處理的GaP表面的特性

引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤濕性和光致發光(PL)測量研究了HF水 溶液中化學清洗的GaP(OOl)表...

2021-12-22 標簽：半導體蝕刻溶液 2278 0

蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

引言 本文將討論在不同的濕化學溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學處理的影響。這項...

2022-01-12 標簽：InP技術化學蝕刻 2271 0

PCB生產過程：為什么PCB內外層蝕刻方法不一樣

如果單板或拼板的尺寸不合適，PCB生產過程中，就會產生很多的原料廢邊，PCB板廠會把之些廢邊的價格都加到你的板子上，這樣你的PCB板單位價格就貴一些。

2023-12-25 標簽：pcb線路板蝕刻 2222 0