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聯(lián)電

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聯(lián)電資訊

全球?qū)⑿略龅木A廠半數(shù)以上在中國(guó) 政府適合投資?

全球?qū)⑿略龅木A廠半數(shù)以上在中國(guó) 政府適合投資?

根據(jù)SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告的最新情況,19個(gè)新的晶圓廠和生產(chǎn)線預(yù)計(jì)于2016年和2017年開(kāi)始建設(shè)。雖然半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出2016年起步緩 慢,但...

2016-06-14 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電聯(lián)電 1129 0

物聯(lián)網(wǎng)給MEMS帶來(lái)新商機(jī) 為何芯片商卻很謹(jǐn)慎?

物聯(lián)網(wǎng)的出現(xiàn)給MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器帶來(lái)了新的機(jī)會(huì),但芯片廠商面對(duì)新機(jī)會(huì)卻非常謹(jǐn)慎。

2016-05-31 標(biāo)簽:芯片MEMS聯(lián)電 4264 0

晶圓雙雄及聯(lián)發(fā)科卡位物聯(lián)網(wǎng)芯片

物聯(lián)網(wǎng)著眼于芯片整合及訴求超低功耗,晶圓雙雄臺(tái)積電和聯(lián)電均建立相關(guān)制程平臺(tái),協(xié)助芯片廠搶商機(jī);聯(lián)發(fā)科也成立Linkit開(kāi)發(fā)平臺(tái),以整合戰(zhàn)方式卡位。

2016-05-30 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科臺(tái)積電聯(lián)電 783 0

中國(guó)“3+1”存儲(chǔ)器版圖初現(xiàn) 誰(shuí)能走到最后?

對(duì)中國(guó)大陸來(lái)說(shuō),今年可算是真正意義上的存儲(chǔ)器元年。武漢存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目啟動(dòng),與聯(lián)電合作的晉華集成電路項(xiàng)目落戶福建泉州晉江市,還有明確要做存儲(chǔ)器的合肥市和紫...

2016-05-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器聯(lián)電武漢新芯 978 0

中芯國(guó)際距超越聯(lián)電進(jìn)入晶圓代工前三有多遠(yuǎn)?

作為國(guó)內(nèi)唯一可以和國(guó)際晶圓代工大廠抗衡的企業(yè),業(yè)界對(duì)中芯國(guó)際的期待似乎更多。而在流行“大者恒大”定律的半導(dǎo)體行業(yè)里,排名“第四”的中芯國(guó)際有沒(méi)有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)...

2016-05-17 標(biāo)簽:中芯國(guó)際聯(lián)電晶圓代工 2037 0

臺(tái)積電/聯(lián)電與中芯國(guó)際搶奪中國(guó)晶圓代工市場(chǎng)

2016年大陸以晶圓代工為主軸的集成電路制造業(yè)的產(chǎn)值年增率將可望達(dá)到16.5%,雖然成長(zhǎng)力道低于2015年26.5%的水準(zhǔn),但依舊高于全球平均表現(xiàn)。

2016-05-03 標(biāo)簽:中芯國(guó)際臺(tái)積電聯(lián)電 1012 0

臺(tái)積電等龍頭細(xì)談國(guó)內(nèi)晶圓代工的未來(lái)走勢(shì)

摩爾定律遇到瓶頸、先進(jìn)工藝投資如同“無(wú)底洞”,代工廠在先進(jìn)工藝的巨大投入與回報(bào)之間如何取舍,在性能、成本、尺寸之間如何權(quán)衡,選擇哪一種道路持續(xù)精進(jìn),或許...

2013-11-04 標(biāo)簽:臺(tái)積電聯(lián)電新思科技 2907 0

臺(tái)灣300毫米半導(dǎo)體晶圓廠首次進(jìn)入內(nèi)地

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,聯(lián)電正與廈門市政府合作,投資3億美元,在當(dāng)?shù)嘏d建一座300毫米晶圓廠,如果進(jìn)展順利,這將是臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商第一次在內(nèi)地建設(shè)此類工廠。

2013-07-18 標(biāo)簽:聯(lián)電晶圓廠 1458 0

聯(lián)電加入IBM技術(shù)聯(lián)盟 攜手奔向10nm工藝

。IBM、聯(lián)電今天共同宣布,聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟,共同參與10nm CMOS工藝的開(kāi)發(fā)。IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟是一個(gè)由IBM領(lǐng)導(dǎo)的半導(dǎo)體行業(yè)組織,成...

2013-06-15 標(biāo)簽:IBM聯(lián)電 1247 0

先進(jìn)制程布局各有打算,GF/聯(lián)電爭(zhēng)搶晶圓榜眼

先進(jìn)制程晶圓代工市場(chǎng)戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺(tái)積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程后,格羅方德(GLOBALFO...

2013-06-11 標(biāo)簽:聯(lián)電晶圓格羅方德 1265 0

新思實(shí)體驗(yàn)證方案獲聯(lián)電28奈米制程采用

新思科技(Synopsys)日前宣布,晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC,聯(lián)電)才用新思科技 IC Validator 實(shí)體驗(yàn)證(physical verif...

2013-03-15 標(biāo)簽:聯(lián)電28納米新思科技 921 0

智原與聯(lián)電合作完成交付40納米三億邏輯閘SoC

智原與聯(lián)電合作完成交付40納米三億邏輯閘SoC。由于其中整合了超過(guò)100種以上不同功能的 IP設(shè)計(jì),其挑戰(zhàn)性更不是一般設(shè)計(jì)服務(wù)同業(yè)可以克服的。

2013-01-28 標(biāo)簽:ASIC聯(lián)電SoC 1083 0

大中華區(qū)前四大晶圓代工廠全球市占率超65%

2012年,包括臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯、世界先進(jìn)等大中華地區(qū)前四大晶圓代工廠,合計(jì)全球市占率超過(guò)65%。隨著28nm制程占出貨與營(yíng)收比重提升,大中華地區(qū)前四...

2012-12-20 標(biāo)簽:臺(tái)積電聯(lián)電代工廠 1615 0

全球晶圓廠加緊FinFET布局 制勝14/16nm市場(chǎng)利器

全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開(kāi)FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后,臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)...

2012-12-20 標(biāo)簽:臺(tái)積電聯(lián)電晶圓廠 1760 0

搶先攻占IC制造商機(jī) 聯(lián)電發(fā)力14納米制程技術(shù)

聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù),預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程...

2012-11-05 標(biāo)簽:聯(lián)電IC制造14納米 1008 0

聯(lián)電與意法半導(dǎo)體攜手開(kāi)發(fā)65奈米CMOS影像感測(cè)器技術(shù)

臺(tái)灣聯(lián)電集團(tuán)(UMC)宣布與意法半導(dǎo)體(STM)攜手合作,開(kāi)發(fā)利用背面照度的65奈米CMOS影像感測(cè)器技術(shù)。此次1.1um像素間距的BSI制程,將于聯(lián)電...

2012-09-07 標(biāo)簽:聯(lián)電意法半導(dǎo)體影像感測(cè)器 1014 0

晶圓代工 格羅方德擠下聯(lián)電

市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights公布最新2012年晶圓代工廠排名預(yù)估,臺(tái)積電穩(wěn)居龍頭,格羅方德(GlobalFoundries)擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥,...

2012-08-23 標(biāo)簽:聯(lián)電晶圓格羅方德 735 0

45/40nm成營(yíng)收主力 晶圓廠爭(zhēng)相擴(kuò)產(chǎn)

全球各大晶圓代工廠正加速擴(kuò)大40/45奈米(nm)先進(jìn)制程產(chǎn)能規(guī)模。智慧型手機(jī)與平板裝置市場(chǎng)不斷增長(zhǎng),讓兼具低成本與高效能的先進(jìn)制程需求快速升溫,包括臺(tái)...

2012-08-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電聯(lián)電晶圓 1096 0

半導(dǎo)體代工產(chǎn)業(yè)悄然變化 聯(lián)電表示壓力很大

全球半導(dǎo)體代工行業(yè)也進(jìn)入了一個(gè)相對(duì)快速的發(fā)展階段。但繁榮或許并不屬于半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的每個(gè)企業(yè)。

2012-08-06 標(biāo)簽:臺(tái)積電聯(lián)電半導(dǎo)體代工 923 0

CMOS影像感測(cè)技術(shù)興起 聯(lián)電攜手星國(guó)微電子開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)

  聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院宣布,將合作進(jìn)行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測(cè)器的TSV技術(shù)開(kāi)發(fā),透過(guò)這項(xiàng)技術(shù),包括智慧手機(jī)、數(shù)位相機(jī)...

2012-06-07 標(biāo)簽:CMOS聯(lián)電TSV技術(shù) 1293 0

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德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
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microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
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