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第三代半導(dǎo)體

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第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。

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第三代半導(dǎo)體資訊

汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇成功舉辦| 聚焦ICS2023峰會(huì)

2023中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)（以下簡(jiǎn)稱:ICS2023峰會(huì)）于2023年9月21日至9月22日在深圳寶安區(qū)JW萬(wàn)豪酒店舉行。ICS2023峰會(huì)以“洞...

2023-09-25 標(biāo)簽：汽車芯片第三代半導(dǎo)體 1105 0

薩科微slkor 國(guó)際化之初體驗(yàn)(上)

?大家好，我叫宋仕強(qiáng)，是薩科微和金航標(biāo)這兩個(gè)皮包公司的大股東兼大老板兼董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理。薩科微公司近年來(lái)發(fā)展迅速，產(chǎn)品研發(fā)方面大投入，高端產(chǎn)品IGBT、電...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管二極管穩(wěn)壓二極管 1056 0

深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作 ——2021中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳舉行

11月27日，由中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)與深圳市人民政府共同主辦，由中國(guó)科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)承辦、深圳市科技交流服務(wù)中心、深圳基本半導(dǎo)體有...

2021-11-29 標(biāo)簽：碳中和基本半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 994 0

第三代半導(dǎo)體測(cè)試的突破 —— Micsig光隔離探頭

第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界...

2023-01-06 標(biāo)簽：micsig 第三代半導(dǎo)體光隔離探頭 953 1

2023CESIS現(xiàn)場(chǎng)爆滿新電源議題引關(guān)注

2023CESIS在3月24日盛大開(kāi)啟，并取得圓滿成功。備受電子行業(yè)同仁期待的2023'中國(guó)電子熱點(diǎn)解決方案創(chuàng)新峰會(huì)終于在3月24日盛大開(kāi)啟...

2023-03-27 標(biāo)簽：電源元器件快充 934 0

萬(wàn)年芯：三代半企業(yè)提速，碳化硅跑步進(jìn)入8英寸時(shí)代

英飛凌于近期宣布，其位于馬來(lái)西亞的新晶圓廠正式進(jìn)入第一階段建設(shè)，該晶圓廠將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的8英寸碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠。無(wú)獨(dú)有偶，安...

2024-08-16 標(biāo)簽：晶圓碳化硅第三代半導(dǎo)體 930 0

國(guó)星光電SiC-SBD通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證

近日，國(guó)星光電開(kāi)發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過(guò)第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證...

2023-03-20 標(biāo)簽：肖特基二極管功率器件 SiC 868 0

萬(wàn)年芯：“國(guó)家隊(duì)”出手！各國(guó)角逐碳化硅/氮化鎵三代半產(chǎn)業(yè)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力，已在新能源汽車、光儲(chǔ)充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展...

2024-08-10 標(biāo)簽：SiC 碳化硅第三代半導(dǎo)體 843 0

ST 推出超小型5x6 包裝E-mode PowerGaN SGT65R65AL

SGT65R65AL 是一款第三代半導(dǎo)體650 V、25 A 增強(qiáng)型 PowerGaN ，結(jié)合了完善的封裝技術(shù)。由此產(chǎn)生的 G-HEMT 器件提供極...

2023-05-17 標(biāo)簽：ST GaN 第三代半導(dǎo)體 797 0

森國(guó)科助力新能源領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展

2022年11月2日，一年一度的能源思享匯在蘇州盛大舉辦，來(lái)自新能源行業(yè)內(nèi)頂尖企業(yè)高管、專家學(xué)者及高端媒體代表等數(shù)百位嘉賓云集一堂，共話能源“熵減”，聚...

2022-11-07 標(biāo)簽：新能源功率器件碳化硅 793 0

集團(tuán)總部青銅劍科技大廈喜封金頂

? 風(fēng)雨兼程，匠心澆筑產(chǎn)業(yè)巨著，榮耀封頂 2022年12月14日上午隨著最后一方混凝土的合力澆筑青銅劍科技大廈順利封頂！標(biāo)志著項(xiàng)目建設(shè)取得階段性...

2022-12-14 標(biāo)簽：功率器件碳化硅青銅劍科技 787 0

半導(dǎo)體行業(yè)回暖，萬(wàn)年芯深耕高端封裝

2024年，近七成半導(dǎo)體公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)回暖，在第三代半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇浪潮中，封測(cè)技術(shù)作為后摩爾時(shí)代的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，作用愈發(fā)凸顯。萬(wàn)年芯憑借其在封裝測(cè)試領(lǐng)域夯...

2024-08-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝測(cè)試碳化硅 782 0

羅姆將量產(chǎn)下一代碳化硅功率半導(dǎo)體

? ? ? 日本媒體報(bào)道稱日本羅姆（ROHM）12月將開(kāi)始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱，羅姆在福岡縣...

2022-11-28 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 775 0

SiC/GaN前沿趨勢(shì)大論劍！這場(chǎng)會(huì)議干貨來(lái)了

隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，持續(xù)攪動(dòng)新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應(yīng)...

2023-06-16 標(biāo)簽：SiC GaN 第三代半導(dǎo)體 772 0

國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體看點(diǎn)盡在《GaN的SIP封裝及其應(yīng)用》

為期四天的2023廣州國(guó)際照明展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會(huì)，國(guó)星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，...

2023-06-14 標(biāo)簽：led LED電源 GaN 768 0

地?cái)偨?jīng)濟(jì)學(xué)家宋仕強(qiáng)：打造薩科微和金航標(biāo)雙品牌

一個(gè)是電子元器件產(chǎn)業(yè)萬(wàn)億級(jí)市場(chǎng)，一個(gè)是信息產(chǎn)業(yè)幾千億級(jí)市場(chǎng)；一個(gè)產(chǎn)品是信息社會(huì)必須用到的電子元器件，一個(gè)產(chǎn)品是射頻微波信號(hào)收發(fā)傳輸?shù)奶炀€連接器接插件。薩...

2023-04-06 標(biāo)簽：MOS管國(guó)產(chǎn)芯片第三代半導(dǎo)體 765 0

大基金三期豪擲3440億!半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)誰(shuí)能抓住機(jī)遇?

低迷的半導(dǎo)體市場(chǎng)迎來(lái)了一劑強(qiáng)心針。日前，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“國(guó)家大基金三期”)注冊(cè)成立，注冊(cè)資本為3440億元，法定代...

2024-06-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 721 0

長(zhǎng)城簽約錫山經(jīng)開(kāi)區(qū)打造鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)基地及第三代半導(dǎo)體模組封測(cè)制造基地

摘要長(zhǎng)城控股集團(tuán)攜手江蘇省錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，投資38億元；第三代半導(dǎo)體模組封測(cè)制造基地項(xiàng)目，車規(guī)級(jí)模組規(guī)劃年產(chǎn)能達(dá)120萬(wàn)套；極電光能全球總部及...

2022-08-17 標(biāo)簽：功率器件封測(cè)bipv 690 0

功率半導(dǎo)體廠商揚(yáng)杰科技上榜央視“CCTV品牌強(qiáng)國(guó)工程”

揚(yáng)杰科技憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)與品牌影響力，作為江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)，成功入選中央廣播電視總臺(tái)“CCTV品牌強(qiáng)國(guó)工程”，于央視CCTV-1、...

2025-05-27 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 646 0

【高峰論壇】東風(fēng)在即 ? 第三代半導(dǎo)體如何商業(yè)化落地？

第三代半導(dǎo)體在我國(guó)發(fā)展的開(kāi)端應(yīng)追溯至2013年。當(dāng)年我國(guó)科技部制定“863計(jì)劃”首次明確將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)劃定為國(guó)家戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)。隨后2016年，國(guó)務(wù)院...

2022-11-22 標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體 585 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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