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      標簽　>　離子注入

      離子注入

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      2025-01-21 標簽：工藝離子注入 885 0

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      2025-01-06 標簽：半導體晶圓離子注入 963 0

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      離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。

      2024-11-09 標簽：工藝制造SiC 885 0

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      與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重摻雜的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n型和p型阱接...

      2024-11-09 標簽：晶圓工藝離子注入 888 0

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      2024-11-04 標簽：電源晶體工藝 1959 0

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      2024-02-23 標簽：溫度傳感器壓力傳感器PN結(jié) 1238 0

      什么是離子注入？離子注入的應用介紹

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      2024-02-21 標簽：多晶硅mems離子注入 6042 0

      探討碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響

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      本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā)，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對溫控的影響，并結(jié)合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測器工...

      2023-09-29 標簽：芯片探測器紅外探測器 3261 0

      半導體離子注入工藝講解

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      阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因為它需要形成阱區(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。

      2023-06-09 標簽：半導體工藝NMOS 7341 0

      半導體制造之離子注入工藝

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      旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似，不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動整個圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。

      2023-06-06 標簽：集成電路半導體工藝 2906 0

      碳化硅器件制造那些事兒

      離子注入是一種向半導體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。

      2022-11-30 標簽：制造功率半導體碳化硅 2690 0

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