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離子束

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離子束資訊

電子束加工原理與主要加工裝置

電子束加工（Electron Beam Machining 簡(jiǎn)稱EBM）起源于德國(guó)。1948年德國(guó)科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺(tái)電子束加工設(shè)備。它是一種利用...

2021-03-10 標(biāo)簽：電子束鍍膜離子束 2.3萬(wàn) 0

離子束加工原理

離子束加工原理和離子束加工的應(yīng)用范圍，離子束加工的特點(diǎn)。

2011-05-22 標(biāo)簽：加工原理離子束 1.8萬(wàn) 0

離子注入機(jī)的簡(jiǎn)易原理圖

本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。離子注入機(jī)的原理是什么？

2024-04-18 標(biāo)簽：離子束 3530 0

聚焦離子束顯微鏡(FIB-SEM)材料分析

一、FIB設(shè)備型號(hào)：Zeiss Auriga Compact 聚焦離子束顯微鏡 (FIB-SEM) 聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成...

2021-11-06 標(biāo)簽：SEM fib 離子束 3443 0

利用不同的安表/電壓源測(cè)量離子束

離子源用以獲得離子束的裝置。在各類離子源中，用得最多的是等離子體離子源，即用電場(chǎng)將離子從一團(tuán)等離子體中引出來(lái)。這類離子源的主要參數(shù)由等離子體的密度、溫度...

2011-12-16 標(biāo)簽：電壓源離子束 1406 0

聚焦離子束(FIB)加工硅材料的損傷機(jī)理及控制

???? 聚焦離子束（FIB）在材料表征方面有著廣泛的應(yīng)用，包括透射電鏡（TEM）樣品的制備。在這方面，F(xiàn)IB比傳統(tǒng)的氬離子束研磨具有許多優(yōu)勢(shì)。例如，電...

2024-12-19 標(biāo)簽：fib 離子束刻蝕 1139 0

聚焦離子束分析技術(shù)-在汽車級(jí)芯片的失效分析

質(zhì)量保證在汽車行業(yè)的重要性在汽車制造領(lǐng)域，質(zhì)量是企業(yè)的生命線，因此汽車制造商和他們的電子配件供應(yīng)商都必須對(duì)其產(chǎn)品的質(zhì)量提供嚴(yán)格的保證。這些保證通常包括時(shí)...

2024-12-13 標(biāo)簽：汽車制造汽車芯片離子束 996 0

吉時(shí)利皮安表在離子束測(cè)量的應(yīng)用

離子束用于各種應(yīng)用場(chǎng)合，諸如，質(zhì)譜儀和離子注入機(jī)等。離子束電流通常非常?。╩A），所以需要使用靜電計(jì)或皮安表來(lái)進(jìn)行測(cè)量。今天安泰測(cè)試為大家介紹如何使...

2021-09-10 標(biāo)簽：電壓測(cè)量離子束 886 0

上海伯東IBE離子束刻蝕機(jī)介紹

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產(chǎn)生的離子在 200~ 1000ev 的范...

2024-12-26 標(biāo)簽：離子束刻蝕機(jī) 850 0

離子束刻蝕機(jī)物理量傳感器 MEMS 刻蝕應(yīng)用

口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很...

2024-09-12 標(biāo)簽：傳感器 mems 離子束 694 0

離子束拋光在微電子封裝失效分析領(lǐng)域的應(yīng)用

共讀好書(shū) 王剛馮麗婷李潮黎恩良鄭林挺胡宏偉劉家儒夏姍姍武慧薇（工業(yè)和信息化部電子第五研究所）摘要：首先，以具體微電子封裝失效機(jī)理和失...

2024-07-04 標(biāo)簽：失效分析離子束微電子封裝 688 0

廣電計(jì)量出版FIB領(lǐng)域?qū)Ｖ?，賦能半導(dǎo)體質(zhì)量精準(zhǔn)提升

近日，廣電計(jì)量在聚焦離子束（FIB）領(lǐng)域編寫(xiě)的專業(yè)著作《聚焦離子束：失效分析》正式出版，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)聚焦離子束領(lǐng)域?qū)嵺`性專業(yè)書(shū)籍的空白，為該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展...

2025-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體離子束廣電計(jì)量 565 0

上海伯東IBE離子束刻蝕機(jī)優(yōu)勢(shì)

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料。是一種干法物理納米級(jí)別的刻蝕，刻蝕均勻性 ≤±5%（部分材料 ±3%）。...

2024-11-27 標(biāo)簽：離子束刻蝕機(jī) 552 0

蔡司掃描電鏡Crossbeam聚焦離子束掃描電子顯微鏡

在人工智能（AI）技術(shù)日新月異的時(shí)代，其強(qiáng)大的發(fā)展勢(shì)能對(duì)PCB板（印制電路板）的質(zhì)量提出了更高的要求。作為AI服務(wù)器硬件架構(gòu)的關(guān)鍵組成部分，PCB板的性...

2025-05-24 標(biāo)簽：電鏡圖像電子顯微鏡離子束 126 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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