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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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森國科碳化硅MOSFET-KM040120R的優(yōu)勢
2022世界半導(dǎo)體大會暨南京國際半導(dǎo)體博覽會在南京盛大開幕!本屆大會廣泛邀請了國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)以及產(chǎn)業(yè)、學(xué)術(shù)、科研、投資界代表出席，共同探討新環(huán)境、...
國內(nèi)的晟光硅研（Lasic）成立于2021年2月，是航天基地科技成果就地轉(zhuǎn)化項(xiàng)目，技術(shù)團(tuán)隊(duì)包括來自西安電子科技大學(xué)、中國工程物理研究院、山東大學(xué)、西北工...
瑞能新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更快的充電速度
2022年9月6日-7日，瑞能半導(dǎo)體首席執(zhí)行官M(fèi)arkus Mosen先生將出席第九屆中國國際半導(dǎo)體高管峰會（以下簡稱：CISES）。此番，Markus...
2022-08-23 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅瑞能半導(dǎo)體 1116 0
主動PFC是服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)(SSI)一致性的要求：供電模塊應(yīng)該采用帶主動功率因數(shù)校正的通用電源輸入，從而可以減少諧波，符合EN61000-3-2和JEI...
碳化硅為第三代半導(dǎo)體材料，引領(lǐng)功率及射頻領(lǐng)域革新
SiC MOSFET 較 IGBT 可同時具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢。1）碳化硅擊穿電場強(qiáng)度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。
2022-08-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 4115 0
以產(chǎn)業(yè)論：中國靠第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)換道超車了嗎？能否突破美國“枷鎖”？
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）日前，中國香港媒體的一篇報道引起了廣泛關(guān)注，文章的原標(biāo)題是《中國三代芯片換道超車，超越美國四方聯(lián)盟圍堵》。文章中有幾句...
2022-08-22 標(biāo)簽：碳化硅第三代半導(dǎo)體 3407 0
瑞森第三代碳化硅MOS 助力雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器高效率、高功率、高效率、低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)高達(dá)97%的能源效率
2022-08-15 標(biāo)簽：功率器件碳化硅半導(dǎo)體企業(yè) 1476 0
近日，博世出席多個業(yè)內(nèi)技術(shù)研討會，圍繞碳化硅產(chǎn)品和IP模塊發(fā)表技術(shù)演講，以“創(chuàng)新”為導(dǎo)向，首次公布第二代碳化硅產(chǎn)品信息及IP模塊最新解決方案。
2022-08-12 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅博世 1557 0
SiC在集成光量子芯片上研究也取得了重要進(jìn)展。SiC中的固態(tài)自旋色心光源具有優(yōu)異的自旋性質(zhì)，近期，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)許金時團(tuán)隊(duì)利用離子注入制備的PL6色心...
寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛采用在電力電子行業(yè)中持續(xù)增長。與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 半導(dǎo)體材料顯示出優(yōu)異的性能...
2022-08-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子技術(shù)碳化硅 674 0
以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個事實(shí)，包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。
關(guān)于硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 在此應(yīng)用中也提供更好的性能：效率提高 2% 以上，功率密度增加 33%，系統(tǒng)成本更低，組件更少。
碳化硅 （SiC） 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...
在當(dāng)今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設(shè)計重點(diǎn)是最大限度地提高效率和功率密度，同時最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當(dāng)前的設(shè)計實(shí)踐，以...
電力電子行業(yè)在 80 年代初期向前邁出了一大步，當(dāng)時絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 技術(shù)的引入使創(chuàng)新型電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計成為可能，從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高...
服務(wù)器電源、不間斷電源 (UPS) 和電機(jī)驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用消耗了全球很大一部分電力。因此，工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降低公司的運(yùn)營成本。結(jié)合更高的功...
碳化硅技術(shù)有望為更智能的電源設(shè)計提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷卻要求。 寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體技術(shù)在電力電子行業(yè)中的廣泛采用持...
在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施對以盡可能低的成本提供高效、可靠電力的要求的推動下，不間斷電源 (UPS) 市場預(yù)計將在未來幾年顯著增長。隨著全球經(jīng)濟(jì)朝著更加數(shù)字化的...
2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心SiC 1070 0
直接比較為半導(dǎo)體技術(shù)提供的總體性能數(shù)據(jù)有時會產(chǎn)生誤導(dǎo)。在溫度等動態(tài)條件下，Rds(on) 等參數(shù)的可變性表明情況更為復(fù)雜。
經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術(shù)是...
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