基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1應(yīng)用于1.3kW服務(wù)器電源

如圖為1.3kW服務(wù)器電源電路框圖，主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成，輸出12V電壓;在PFC功率因數(shù)校正部分，...

2022-11-30 標(biāo)簽：服務(wù)器電源肖特基二極管碳化硅 724 0

希科半導(dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代

國(guó)產(chǎn)之光?？瓢雽?dǎo)體： 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 ?？瓢雽?dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿成功 中國(guó)蘇州，2022年11...

2022-11-29 標(biāo)簽：SiC碳化硅外延片 3125 0

新時(shí)代下傳統(tǒng)汽車芯片公司如何自處？

Renesas的SVP兼汽車解決方案總經(jīng)理Takeshi Kataoka表示，“我們將SiC視為未來的關(guān)鍵技術(shù)，我們必須要確保這個(gè)產(chǎn)品線”。但他沒有詳細(xì)...

2022-11-29 標(biāo)簽：汽車芯片碳化硅電動(dòng)化 738 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料將成為電子信息產(chǎn)業(yè)的主宰

碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制...

2022-11-29 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體碳化硅 1540 0

羅姆將量產(chǎn)下一代碳化硅功率半導(dǎo)體

? ? ? 日本媒體報(bào)道稱日本羅姆（ROHM）12月將開始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱，羅姆在福岡縣...

2022-11-28 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 785 0

碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)特性及應(yīng)用分析

對(duì)于硅，隨著耐壓的升高，每單位面積的電阻也會(huì)增加（大約是耐壓的2.5次方的平方）。因此，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）主要用于600V以上的電壓。IGBT...

2022-11-28 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅 3633 0

從柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件選型到設(shè)計(jì)，提升碳化硅MOSFET性能

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）近年來，隨著光伏、軌道交通、汽車電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，以及對(duì)性能與效率的追求，具有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽遷移率...

2022-11-27 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅 2307 0

使用碳化硅功率模塊的e-Axle用逆變器簽署聯(lián)合開發(fā)協(xié)議

通過此次的共創(chuàng)項(xiàng)目，羅姆將能夠從整車層面深入了解功率半導(dǎo)體要具備的性能和更好的驅(qū)動(dòng)方法，這將有助于今后開發(fā)出更具競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅MOSFET和模塊。

2022-11-24 標(biāo)簽：MOSFET功率模塊碳化硅 987 0

瑞能半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品慕尼黑華南電子展精彩回顧

11月15日至17日 瑞能半導(dǎo)體攜硅基、碳化硅基等 多款功率器件產(chǎn)品亮相慕尼黑華南電子展 展示了從消費(fèi)類到工業(yè)及新能源 再覆蓋到汽車類的相關(guān)產(chǎn)品布局 以...

2022-11-24 標(biāo)簽：功率器件充電樁碳化硅 645 0

SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！

近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹...

2022-11-24 標(biāo)簽：功率器件SiC功率半導(dǎo)體 2559 0

SiC性能優(yōu)異，材料升級(jí)勢(shì)在必行

半導(dǎo)體材料按被研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序通常分為三代。第一代：20 世紀(jì) 40 年代，硅（Si）、鍺（Ge）開始應(yīng)用，硅的自然儲(chǔ)量大、制 備工藝簡(jiǎn)單...

2022-11-23 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體材料SiC 5133 0

瞻芯電子榮膺“2022年度硬核中國(guó)芯評(píng)選：年度最佳功率器件”獎(jiǎng)

上海瞻芯電子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港，致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化...

2022-11-23 標(biāo)簽：功率器件碳化硅瞻芯電子 1595 0

基本半導(dǎo)體亮相第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)

11月16-19日，由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦的 第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)（IC China 2022） 在合肥盛大舉行，...

2022-11-22 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體肖特基二極管 755 0

UintedSiC銀燒結(jié)技術(shù)在碳化硅市場(chǎng)中獨(dú)樹一幟

隨著邏輯晶體管面積不斷減小至亞微米級(jí)尺寸，它能以更低的總體成本進(jìn)行更快的運(yùn)行并損耗較低的功率。事實(shí)上，晶體管的進(jìn)一步集成會(huì)面臨熱密度方面的挑戰(zhàn)。管理基片...

2022-11-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管碳化硅 1191 0

半導(dǎo)體行業(yè)中的陶瓷材料

一般可采用高純Al2O3涂層作為刻蝕腔體和腔體內(nèi)部件的防護(hù)材料。但是隨著半導(dǎo)體器件最小特征尺寸的減小和晶圓尺寸的增大，為了獲得更高的刻蝕精度和保證刻蝕的...

2022-11-17 標(biāo)簽：等離子體碳化硅 2104 0

KLA打卡第六屆Carbontech：攜手并進(jìn)，“碳”索未來

KLA“打卡”Carbontech 2022 作為2022高交會(huì)的一部分，為期三天的第六屆國(guó)際碳材料大會(huì)暨產(chǎn)業(yè)展覽會(huì)(Carbontech)在深圳國(guó)際會(huì)...

2022-11-16 標(biāo)簽：晶圓碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 1541 0

碳化硅MOS B1M080120HC在車載OBC上的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體推出的高性能碳化硅MOS，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)、無鉛、不含鹵素，非常適用于車載OBC體積及發(fā)熱要求較高的應(yīng)用；B1M080120HC耐壓1200V...

2022-11-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 1871 0

基本半導(dǎo)體與羅姆簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議

此外，作為第一批合作成果，融合了雙方技術(shù)的車載功率模塊將提供給多家大型汽車企業(yè)，用于電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成系統(tǒng)。今后，雙方也將加快開發(fā)以碳化硅為核心的功率解...

2022-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 649 0

用于電動(dòng)汽車電力電子的碳化硅器件！

隨著對(duì)電動(dòng)汽車（EV）需求的持續(xù)增長(zhǎng)，制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù)，即碳化硅和硅，用于電力電子應(yīng)用。碳化硅（SiC）具有耐高溫、低功耗、剛性，并支持EV...

2022-11-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1042 0