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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

+關(guān)注25人關(guān)注

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

文章:2530個(gè) 瀏覽:50447 帖子:38個(gè)

碳化硅資訊

苦難與輝煌 集成電路國(guó)產(chǎn)化之路(下)(SWOT分析法)

國(guó)產(chǎn)替代是個(gè)好機(jī)會(huì)。危機(jī)是資金投入特別大回報(bào)周期非常長(zhǎng),是集成電路行業(yè)最大的特點(diǎn),可以堅(jiān)持到最后企業(yè)就少了。

2020-07-02 標(biāo)簽:集成電路gpsIGBT 1.5萬(wàn) 0

破產(chǎn)、并購(gòu)、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤(pán)點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

破產(chǎn)、并購(gòu)、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤(pán)點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)剛剛過(guò)去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來(lái)了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車市場(chǎng)進(jìn)一步滲透的同時(shí),數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人...

2025-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0

SiC需求增長(zhǎng)快于供應(yīng)(內(nèi)附SiC器件主要供應(yīng)商)

寬禁帶半導(dǎo)體材料越來(lái)越受行業(yè)歡迎。在碳化硅(SiC)正處于大力擴(kuò)張之時(shí),供應(yīng)商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場(chǎng)的潛在需求。 譬如,Cree計(jì)劃投資高...

2019-07-19 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.4萬(wàn) 0

美浦森:我們的碳化硅器件裕量高,產(chǎn)能足

在采訪中朱勇華介紹了美浦森的發(fā)展現(xiàn)狀,以及本次展會(huì)展示的特色產(chǎn)品,他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。

2019-12-25 標(biāo)簽:MOSFET功率器件碳化硅 1.4萬(wàn) 0

華潤(rùn)微電子SiC二極管量產(chǎn)!覆蓋充電樁、通信、服務(wù)器電源等熱門(mén)領(lǐng)域

近日,華潤(rùn)微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管系列產(chǎn)品,并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。其碳化硅二極管將主打充電樁、太陽(yáng)能、UPS、通信和服務(wù)器電...

2020-07-21 標(biāo)簽:功率器件華潤(rùn)微電子碳化硅 1.4萬(wàn) 0

天科合達(dá)終止科創(chuàng)板IPO進(jìn)程,年產(chǎn)12萬(wàn)片6英寸碳化硅晶片也泡湯了

10月16日,上交所發(fā)布“關(guān)于終止對(duì)北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市審核的決定”,決定終止對(duì)其首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的審核。

2020-10-21 標(biāo)簽:晶片碳化硅 1.3萬(wàn) 0

簡(jiǎn)述碳化硅外延技術(shù)突破或改變產(chǎn)業(yè)格局

簡(jiǎn)述碳化硅外延技術(shù)突破或改變產(chǎn)業(yè)格局

碳化硅外延領(lǐng)域捷報(bào)連連! 我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)或迎來(lái)史詩(shī)級(jí)利好 進(jìn)入2021年以來(lái),在碳化硅外延領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)外企業(yè)紛紛捷報(bào)連連。 ? 2021年3月1日,日本豐...

2021-05-07 標(biāo)簽:納米SiC晶片 1.3萬(wàn) 0

除了定時(shí)開(kāi)關(guān)機(jī),5G基站還可以這樣節(jié)省電費(fèi)

最近,一篇關(guān)于中國(guó)聯(lián)通在每天21:00到次日9:00關(guān)閉5G基站,以減少能耗,節(jié)約電費(fèi)的新聞,引起了大量的關(guān)注。很多人是在看到這樣的報(bào)道后才知道,原來(lái)5...

2020-08-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電源設(shè)計(jì)高頻 1.3萬(wàn) 1

什么是碳化硅?

硅(Si)與碳處于周期表中的同一列,所以二者化學(xué)性質(zhì)也相似。硅在自然界中主要以硅酸鹽或二氧化硅的形式存在,儲(chǔ)量豐富,地殼中的含量?jī)H次于氧,排名第二。提取...

2020-06-24 標(biāo)簽:光纖半導(dǎo)體材料碳化硅 1.3萬(wàn) 0

第三代半導(dǎo)體制造材料碳化硅性能優(yōu)勢(shì)突出

半導(dǎo)體材料市場(chǎng)空間廣闊,制造材料銷售額占比不斷提高。全球半導(dǎo)體材料銷售額規(guī)模不斷上升,2015 年至 2019 年復(fù)合增長(zhǎng)率為 4.8%;中國(guó)大陸半導(dǎo)體...

2022-06-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.3萬(wàn) 0

國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET“隱形王者”,打入汽車市場(chǎng),迎接OBC爆發(fā)期

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)成立于2018年的派恩杰半導(dǎo)體,從成立之初就聚焦于碳化硅MOSFET,緊鑼密鼓布局車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體芯片,并已順利“上車”,產(chǎn)品...

2021-12-24 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅OBC 1.2萬(wàn) 1

5G基站電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

可是最近的一篇報(bào)道,引起了人們對(duì)5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗,節(jié)約電費(fèi),中國(guó)聯(lián)通在洛陽(yáng)某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。...

2020-08-07 標(biāo)簽:電源氮化鎵功率密度 1.2萬(wàn) 0

碳化硅進(jìn)軍消費(fèi)類市場(chǎng),引領(lǐng)手機(jī)快充新潮流

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))隨著智能手機(jī)的快速發(fā)展,手機(jī)續(xù)航和充電體驗(yàn)成為了手機(jī)廠商和消費(fèi)者首要關(guān)注的問(wèn)題。在手機(jī)充電領(lǐng)域中氮化鎵的應(yīng)用最為廣泛,也是被...

2022-02-11 標(biāo)簽:碳化硅快充技術(shù)碳化硅MOSFET 1.1萬(wàn) 0

中科智芯半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目占地50畝 投資20億元于2018年9月開(kāi)工建設(shè)

近日,徐州中科芯韻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱“中科芯韻基金”)正式簽約落地,基金總規(guī)模2.005億元,將專項(xiàng)支持江蘇中科智芯集成科技有限公司先進(jìn)封裝項(xiàng)目和...

2019-05-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體微電子碳化硅 1.1萬(wàn) 0

碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值到2024年將達(dá)到19.3億美元

2019-08-15 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅 1.1萬(wàn) 0

2023碳化硅產(chǎn)業(yè)趨勢(shì):未來(lái)五到十年供應(yīng)都會(huì)緊缺?國(guó)產(chǎn)SiC能成功上主驅(qū)嗎?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)進(jìn)入2023年的第一個(gè)月,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈就迎來(lái)不少好消息。國(guó)內(nèi)多家碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)獲得新的融資,多個(gè)碳化硅上下游的項(xiàng)目有了新...

2023-01-24 標(biāo)簽:汽車電子碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.0萬(wàn) 0

基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝,結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì),開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng),導(dǎo)通電阻小,閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能...

2019-01-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件碳化硅 1.0萬(wàn) 0

比亞迪車載充電機(jī)(OBC)選用國(guó)產(chǎn)碳化硅擁有更強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力

比亞迪車載充電機(jī)(OBC)選用國(guó)產(chǎn)碳化硅擁有更強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力

隨著新能源汽車行業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步,提升新能源汽車?yán)m(xù)航里程成為了行業(yè)發(fā)展的主要任務(wù)之一,在動(dòng)力電池能量密度不能持續(xù)增加的情況下,降低車用部件重量是提升續(xù)航里...

2022-02-24 標(biāo)簽:比亞迪MOS碳化硅 1.0萬(wàn) 0

比亞迪發(fā)布其車規(guī)級(jí)IGBT4.0技術(shù) 并斥巨資布局碳化硅

IGBT被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置“CPU”,今年迎來(lái)“缺貨潮”。數(shù)據(jù)顯示,2018年車規(guī)級(jí)IGBT模塊的交貨周期已從正常8-12周延長(zhǎng)至最長(zhǎng)52周,業(yè)界預(yù)...

2018-12-16 標(biāo)簽:比亞迪IGBT碳化硅 1.0萬(wàn) 0

詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

摘要:簡(jiǎn)述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對(duì)SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來(lái)SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用...

2020-12-30 標(biāo)簽:碳化硅刻蝕 1.0萬(wàn) 0

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  • 28nm
    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    CC2541
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    G3-PLC
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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