如何提高碳化硅器件的效率

高效率當然是一個優點，但有時“高”的說法并不準確，例如：家用電子設備散發出“較高”的熱量，可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，或許能從能源使用...

2022-03-31 標簽：碳化硅GaN器件SiCMOSFET 2201 0

MACE工藝制備黑硅的表面形態學和光學性能研究

本文研究了用兩步金屬輔助化學蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅（b-Si）的表面形態學和光學性能，研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時間短的兩步MACE法制備硼...

2022-03-29 標簽：工藝蝕刻晶片 1076 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區域；并以第一速率用...

2022-03-29 標簽：SiC碳化硅刻蝕 1979 0

從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結構及性能優劣勢對比

派恩杰半導體認為，Cascode結構只是從Si產品轉向SiC產品的一個過渡產品，因為Cascode結構完全無法發揮出SiC器件的獨特優勢。

2022-02-23 標簽：MOSFET碳化硅 5651 0

研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

摘要 本發明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標簽：晶圓襯底鍍膜 2088 0

2022年開工第一天，派恩杰半導體在全球首推PD 快充的碳化硅應用方案

派恩杰半導體在此65W USB PD快充方案中， 在不更改任何驅動參數條件下與傳統硅功率器件650V/125mohm進行性能比較， 在滿載條件下完整展現...

2022-02-08 標簽：碳化硅USB PD派恩杰 1898 0

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

2022-02-07 標簽：半導體碳化硅電沉積 1196 0

碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

引言 人們對用于器件應用的碳化硅(SiC)重新產生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數和熱膨脹系數，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應用領域，例...

2022-01-10 標簽：半導體SiC碳化硅 2351 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標簽：SiCGaN半導體器件 5034 0

碳化硅功率晶體的設計發展及驅動電壓限制

在硅材料的高壓超級結功率晶體中，磊晶層的通態電阻占總通態電阻的90%以上。

2021-10-25 標簽：碳化硅功率晶體管 1413 0

碳化硅功率模塊建模

2021-09-13 標簽：碳化硅 1787 0

確保SiC驗證測試準確度，有效測量碳化硅功率電子系統中的信號

在功率電子系統中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因為它可以毫無問題地添加到電路的任意節點中。

2021-07-13 標簽：電子系統SiC碳化硅 2436 0

碳化硅在下一代工業電機驅動器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產品。雖然有各種重要的機會使用這項技術，但工業電機驅動正獲得最大的興趣和關注。

2021-07-04 標簽：SiC電機驅動器碳化硅 2531 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化鎵技術的“甜區”在哪里？

2021-06-02 標簽：MOSFET逆變器IGBT 3160 0

用碳化硅MOSFET設計雙向降壓-升壓轉換器

電池供電的便攜式設備越來越多，在如今的生活中扮演的角色也愈發重要。這個趨勢還取決于高能量存儲技術的發展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級電容器。這些...

2021-04-14 標簽：MOSFET升壓轉換器碳化硅 1471 0

碳化硅技術如何變革汽車車載充電

為了提高OBC系統的能效，人們研究了不同的PFC拓撲結構，包括傳統PFC、半無橋PFC、雙向無橋PFC和圖騰柱無橋PFC。

2021-04-14 標簽：電動汽車二極管安森美半導體 1885 0

碳化硅如何能夠提升開關電源設計

一個關鍵的比較參數是導通電阻RDS（on）。硅MOSFET表面的參數看起來比SiC更好，但由于其較低的倍增系數（κ），在100℃時，一個84mΩ的Coo...

2021-04-14 標簽：MOSFET開關電源碳化硅 1763 0

英飛凌實現4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯方案解析

以對稱的布板設計來實現4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯，給出了實際的測量結果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應用在并聯場合下的溫度偏差。由此可以看出碳...

2021-02-21 標簽：MOSFETIGBT碳化硅 5297 0

分布式光伏發電逆變器的碳化硅應用案例

消費者、各行業及政府都在采取各項措施以增加對可再生能源的利用，這正在將發電和輸配電系統從中心化的電網轉換成更加智能化網格化的，支持本地發電的拓撲，并通過...

2020-12-14 標簽：光伏發電分布式碳化硅 1686 0