SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

MOSFET全稱金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標簽：MOSFET場效應晶體管體二極管 752 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優勢、應用場景

碳化硅功率器件利用SiC半導體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導率，以及更高的臨界擊穿電場強度。

2024-03-14 標簽：功率器件SiC碳化硅 751 0

碳化硅IGBT在汽車領域的關鍵作用是什么?

自電動汽車大規模普及的早期階段以來，碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術就被認為是電池電動汽車子系統的理想選擇。與傳統硅材料相比，寬禁帶材料具有更...

2025-01-08 標簽：IGBT碳化硅汽車 735 0

深入探討碳化硅功率器件優勢、應用

碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更優越的物理和化學特性，包括更高的臨界擊穿場強、更大的熱導率、更高的工作溫度和更快的開關速度。

2024-04-12 標簽：變壓器電感器功率器件 731 0

模塊封裝的關鍵工藝

區別于分立器件模塊的制造有一些特別的關鍵工藝技術，如銀燒結、粗銅線鍵合、端子焊接等。

2024-12-04 標簽：封裝分立器件碳化硅 726 0

碳化硅晶圓劃片技術

碳化硅是寬禁帶半導體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優勢，是目前硅和砷化鎵等半導體材料所無...

2023-06-25 標簽：激光器發光二極管SiC 708 0

淺析電動汽車傳動優化流程

盡管目前純電動汽車 (BEVs) 在整個市場中所占的份額相對較小[1]，但預計在未來 5 至 10 年內，純電動汽車 (BEVs) 將開始取代傳統動力系...

2023-07-12 標簽：電動汽車變頻器變速器 704 0

天津大學團隊開創石墨烯半導體新紀元

石墨烯作為首個被發現可在室溫下穩定存在的二維材料，具有寬帶光響應、高載流子遷移率、高熱導率等特性，是制備體積更小、更節能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。

2024-01-08 標簽：電子元件石墨烯碳化硅 701 0

使用SiC技術應對能源基礎設施的挑戰

本文簡要回顧了與經典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標簽：MOSFETSiC碳化硅 693 0

R24C2T25可簡化SiC的選擇和評估過程

毫無疑問，寬帶隙 (WBG) 技術已得到廣泛應用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業、消費類及其他電源應用領域的首選器件。

2024-05-06 標簽：轉換器晶體管GaN 693 0

直流快速電動汽車充電器的設計技巧與解決方案

便捷高效的充電對于所有電池供電的電動汽車（BEV）的成功至關重要，可用充電的地方越多，充電速度越快，消費者就越有可能購買純電動汽車而不是化石燃料汽車。本...

2024-08-16 標簽：電動汽車充電器碳化硅 684 0

碳化硅功率器件的優越性能

碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導體行業中的重要發展方向。相比傳統的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應用于電力...

2024-09-13 標簽：半導體功率器件碳化硅 681 0

一輛汽車需要哪些半導體器件?

用傳感器如雷達、攝像頭替代人眼，用算法芯片去替代人腦，再用電子控制去替代人的手腳，最終實現由智能電腦來控制汽車，實現自動駕駛。

2023-03-10 標簽：電動汽車傳感器功率器件 678 0

混合碳化硅分立器件的特性與優點

IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極管(FWD)構成，續流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(S...

2023-09-22 標簽：二極管IGBT分立器件 672 0