硅光芯片

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SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半導(dǎo)體材料。硅光芯片是通過標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路。

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硅光芯片資訊

隨著硅光子技術(shù)在數(shù)據(jù)中心、5G通信和光傳感等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)測(cè)試設(shè)備的性能要求日益嚴(yán)苛。硅光芯片測(cè)試需要高帶寬、高精度和多功能分析能力，以確保光模塊的...

2025-06-12 標(biāo)簽：測(cè)試硅光芯片 208 0

摩爾芯光榮膺三大獎(jiǎng)項(xiàng)，技術(shù)實(shí)力獲業(yè)界認(rèn)可

摩爾芯光，作為FMCW激光雷達(dá)及硅光芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒，近期在業(yè)界大放異彩，接連榮獲三大重量級(jí)獎(jiǎng)項(xiàng)，展現(xiàn)了其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)潛力。首先，摩爾芯光榮...

2025-02-11 標(biāo)簽：激光雷達(dá)硅光芯片摩爾芯光 523 0

硅光芯片技術(shù)突破，引領(lǐng)光通信新時(shí)代

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)量的爆炸式增長(zhǎng)對(duì)通信技術(shù)的要求越來(lái)越高。傳統(tǒng)的基于電子的微電子技術(shù)已經(jīng)遇到了物理極限，而基于光子的光電子技術(shù)則憑借其高速、低...

2025-01-13 標(biāo)簽：光通信芯片封裝硅光芯片 1386 0

這家代工廠，盯上硅光芯片

本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自eetimes Tower預(yù)計(jì)今年硅光子業(yè)務(wù)收入將增長(zhǎng)一倍以上，約達(dá)1億美元。 Tower Semic...

2024-11-21 標(biāo)簽：硅光芯片 615 0

硅光芯片創(chuàng)新轉(zhuǎn)型，測(cè)試測(cè)量新需求

根據(jù)Lightcounting的預(yù)測(cè)，光通信行業(yè)已經(jīng)處在硅光子技術(shù)規(guī)模應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，使用基于硅光光模塊市場(chǎng)份額有望從2022年的24%增加到2028年的...

2024-10-08 標(biāo)簽：測(cè)試測(cè)量硅光芯片 871 0

　在當(dāng)今集成電路技術(shù)的迅猛浪潮中，硅光芯片技術(shù)的崛起并非偶然之舉，而是應(yīng)對(duì)傳統(tǒng)集成電路在數(shù)據(jù)傳輸與能效瓶頸上的必然產(chǎn)物。隨著信息技術(shù)的日新月異，對(duì)數(shù)據(jù)傳...

2024-08-26 標(biāo)簽：集成電路硅光芯片 1394 0

中國(guó)芯片重大突破！國(guó)內(nèi)首款2Tbs三維集成硅光芯片的亮相

來(lái)源：湖北發(fā)布中國(guó)信息通信科技集團(tuán)有限公司由原武漢郵電科學(xué)研究院（烽火科技集團(tuán)）和原電信科學(xué)技術(shù)研究院（大唐電信集團(tuán)）聯(lián)合重組而成，是國(guó)務(wù)院國(guó)資委直屬...

2024-07-10 標(biāo)簽：芯片硅光芯片 1501 0

中國(guó)信科實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)首款2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣

在“武漢新城·世界光谷”的璀璨舞臺(tái)上，中國(guó)信科集團(tuán)以其卓越的科技創(chuàng)新成果再次點(diǎn)亮了信息產(chǎn)業(yè)的未來(lái)之光。近日，于“加快推動(dòng)‘三個(gè)優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)化’，重塑新時(shí)代武漢...

2024-07-09 標(biāo)簽：芯片光通信硅光芯片 6844 0

洛微科技引領(lǐng)硅光FMCW芯片技術(shù)革新，推動(dòng)激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2024年5月15日，由中國(guó)激光類垂直媒體激光之家與湖北省光學(xué)學(xué)會(huì)聯(lián)合舉辦的《2024激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)技術(shù)峰會(huì)》在武漢光谷圓滿落幕。

2024-05-21 標(biāo)簽：FMCW 激光雷達(dá)自動(dòng)駕駛 1118 0

驛路通FA產(chǎn)品榮獲首屆“湖北精品”稱號(hào)

2024年3月26日，“湖北精品質(zhì)贏未來(lái)”首屆“湖北精品”發(fā)布活動(dòng)在湖北廣電演播中心隆重舉行，武漢驛路通科技股份有限公司自主研發(fā)的“垂直耦合用折彎光纖...

2024-03-27 標(biāo)簽：光纖技術(shù)硅光芯片 881 0

上海微技術(shù)研究院標(biāo)準(zhǔn)180nm硅光工藝在八英寸SOI上制備了硅光芯片

近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所硅基材料與集成器件實(shí)驗(yàn)室蔡艷研究員、歐欣研究員聯(lián)合團(tuán)隊(duì)，在通訊波段硅基鈮酸鋰異質(zhì)集成電光調(diào)制器方面取得了重要進(jìn)展。

2024-03-18 標(biāo)簽：CMOS 晶圓電壓信號(hào) 1788 0

MEMS和硅光集成工藝成果入選《2023年上?？萍歼M(jìn)步報(bào)告》

近日，上海發(fā)布了《2023年上?？萍歼M(jìn)步報(bào)告》，來(lái)自上海工研院的MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝模塊及90納米硅光集成工藝2項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)水平技術(shù)成果入選。

2024-02-22 標(biāo)簽：mems 信號(hào)傳輸電信號(hào) 1385 0

國(guó)科光芯實(shí)現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm（1550 nm波長(zhǎng)）級(jí)別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計(jì)和工藝迭代，國(guó)科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：國(guó)科光芯）在國(guó)內(nèi)首個(gè)8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了傳...

2023-11-17 標(biāo)簽：芯片硅光芯片氮化硅 2731 0

臺(tái)積電再度突破硅光芯片技術(shù)！華為彎道超車計(jì)劃將要失??？

近日，臺(tái)積電再次宣布一項(xiàng)重大突破，這一消息引發(fā)了全球科技領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。這次突破涉及硅光芯片技術(shù)，被視為半導(dǎo)體領(lǐng)域的一項(xiàng)重大進(jìn)展。然而，這個(gè)消息也讓中國(guó)...

2023-10-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電硅光芯片 1756 0

800G硅光芯片，里程碑

雖然光子集成電路 (PIC) 已在高帶寬和高效率應(yīng)用中使用了一段時(shí)間，但并非所有工藝的構(gòu)建都是相似的。一些光子學(xué)工藝?yán)面壔蜚熁鶎拵栋雽?dǎo)體。另外，Du...

2023-10-11 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體技術(shù)硅光芯片 1459 0

硅光芯片從幕后走向臺(tái)前，制造良率仍是最大問題

“硅光芯片并非取代傳統(tǒng)的集成電路技術(shù)，而是在后摩爾時(shí)代，幫助集成電路擴(kuò)充其技術(shù)功能。此外，由于硅光芯片是基于硅晶圓開發(fā)出的光子集成芯片，因此硅光芯片所需...

2023-10-08 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電硅晶圓 1789 0

臺(tái)積電押注硅光芯片，預(yù)計(jì)2025年進(jìn)入大批量生產(chǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)組建一支約200人的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，專注于推進(jìn)硅光子技術(shù)和應(yīng)用。據(jù)稱，臺(tái)積電還在與博通和英偉達(dá)等大客戶進(jìn)行談判...

2023-09-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電硅光芯片 2795 0

OLI測(cè)試硅光芯片耦合質(zhì)量

硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術(shù)。光纖到硅基耦合是芯片設(shè)計(jì)十分重要的一環(huán)，耦合質(zhì)量決定著集成硅光芯片上光信號(hào)和外部信號(hào)互聯(lián)質(zhì)量，耦合...

2023-08-05 標(biāo)簽：芯片測(cè)試耦合 1397 0

國(guó)產(chǎn)廠商搶占硅光芯片的風(fēng)口

光子芯片根據(jù)基材的不同，大致可分為兩類：一種是在以InP為代表的“有源材料”上集成制作元件的光芯片；另一種則是在以硅為代表的“無(wú)源材料”上制作的，即硅光芯片。

2023-07-20 標(biāo)簽：人工智能調(diào)制器激光雷達(dá) 2170 0

硅光芯片，終于到了拐點(diǎn)？

與傳統(tǒng)電子集成電路相比，硅光子學(xué)已經(jīng)憑借其令人印象深刻的性能、能效和可靠性贏得了據(jù)點(diǎn)?？傮w速度要求已經(jīng)變得足夠快，有利于技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在不斷縮短的距離內(nèi)有效...

2023-02-01 標(biāo)簽：集成電路收發(fā)器 LIDAR 1925 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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過零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)?lái)HarmonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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