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標(biāo)簽 > 電子器件
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分立功率器件是指用于承載高功率信號的獨立電子器件。它們可以單獨使用,也可以與其他分立器件組合使用,以完成特定的功率放大和開關(guān)控制電路。
通帶特性(Passband Characteristics):指信號在通帶范圍內(nèi)的響應(yīng)特性,即信號的幅度響應(yīng)和相位響應(yīng)。通帶是指允許信號通過的頻率范...
濾波器是一種電子器件或電路,用于將特定頻率范圍內(nèi)的信號通過,并抑制其他頻率范圍內(nèi)的信號。濾波器通常用于電子信號處理和通信系統(tǒng)中,以濾除噪聲、干擾和其...
2023-02-24 標(biāo)簽:濾波器通信系統(tǒng)電子器件 1.7萬 0
功率晶體管的參數(shù)主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數(shù)都會影響功率晶體管的性能,因此在選擇功率晶體管時,應(yīng)該根據(jù)實際應(yīng)用...
比較器是一種電子器件,它可以比較兩個或多個輸入信號的大小,并將結(jié)果輸出為高電平或低電平。比較器可以用于檢測信號的變化,也可以用于控制信號的輸出。比較器...
金剛石半導(dǎo)體的特點 金剛石半導(dǎo)體的應(yīng)用市場
金剛石半導(dǎo)體是一種由金剛石構(gòu)成的半導(dǎo)體材料,它具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電磁屏蔽性能和較高的耐腐蝕性,可以用于制造電子器件,如晶體管等。
砷化鎵半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)與制備過程
砷化鎵(GaAs)是一種半導(dǎo)體材料,它是由鎵(Ga)和砷(As)組成的化合物,具有較高的電子遷移率和較低的漏電流,因此在電子器件中有著廣泛的應(yīng)用。
砷化鎵二極管的優(yōu)缺點 砷化鎵二極管的應(yīng)用范圍
砷化鎵二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由砷化鎵(GaAs)材料制成,具有較高的電流密度、較低的功耗和較快的響應(yīng)速度。砷化鎵二極管的原理是,當(dāng)電壓施加到砷化...
砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能,具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率...
2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料砷化鎵 2928 0
碳化硅是一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的碳和硅的化合物,它是由碳原子和硅原子組成的類似金剛石的結(jié)構(gòu)。碳化硅具有優(yōu)異的電學(xué)性能,具有高熱穩(wěn)定性、高絕緣性、高耐磨性、高抗...
碳化硅是一種半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。
2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2031 0
硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性,將其結(jié)合在一起,形成一種新的復(fù)合材料,以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的...
氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和...
氮化鎵是一種無機化合物,它是一種稀有的金屬氮化物,具有高熔點、高硬度和良好的電學(xué)性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件,也可以用于制造磁性...
第三代半導(dǎo)體GaN材料的應(yīng)用優(yōu)缺點
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關(guān)頻率、較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點,能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導(dǎo)體集成電路工藝,在新一代高...
氮化鎵(氮化鎵)是一種半導(dǎo)體材料,是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比...
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一...
插裝電子器件和表層拼裝電子器件兼具的拼裝稱之為混和拼裝,通稱混放,所有選用表層拼裝電子器件的拼裝稱之為全表層貼片。
目前使用較多的燒結(jié)助劑是 Y2O3-MgO,但是仍不可避免地引入了氧雜質(zhì),因此可以選用非氧化物燒結(jié)助劑來替換氧化物燒結(jié)助劑,如 YF3-MgO、MgF2...
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