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標簽 > 浪涌
浪涌也叫突波,顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質上講,浪涌是發生在僅僅幾百萬分之一秒時間內的一種劇烈脈沖。可能引起浪涌的原因有:重型設備、短路、電源切換或大型發動機。而含有浪涌阻絕裝置的產品可以有效地吸收突發的巨大能量,以保護連接設備免于受損。
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在雷電放電的過程中,由于瞬間放電產生了強烈的電磁脈沖,在臨近的設備或電子線路上感應了幅值和變化速率都很高的浪涌電壓電流,對某些電子設備產生毀滅性的的破壞...
不受管理的浪涌電壓可能會導致系統中斷或損壞,甚至對用戶和操作員造成危險。浪涌保護裝置 (SPD),也稱為瞬態電壓抑制器 (TVS),通常用于通過限制或阻...
而對于(10/700)μs–(5/320)μs波形來說,由于此波形只用于直連到戶外通訊網絡的同步互聯線纜,適用范圍小。所以標準把此波形的定義放入附錄A中...
大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產品中,令人防不勝防。
ESD和浪涌問題往往是基帶工程師最頭疼的問題,因為測試標準嚴苛,問題神出鬼沒。特別是ESD問題,沒有解決問題的標準路徑,只能靠反復地構思方案并驗證。
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項
關于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產生的浪涌,在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET:橋式結構中柵極...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負電壓浪涌對策
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導通時,SiC MOSFET的HS誤...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對策
本文的關鍵要點:通過采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來防止LS導通時的HS誤導通。如果柵極驅動IC沒有驅動米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
據估計,電子產品的故障有75%是由于瞬變和浪涌造成的。電壓的瞬變和浪涌無處不在,電網、雷擊、爆破,就連人在地毯上行走都會產生上萬伏的靜電感應電壓,這些都...
Ameya360雷卯電子:防靜電和浪涌TVS layout設計要點
剛看過了CES2023,雷卯的外貿伙伴們看了新的AR,VR,5G產品,新的電子產品更智能、更復雜,嵌入了脆弱和敏感的集成電路。這些設備的環境往往很惡劣,...
產生浪涌的原因是多方面的,浪涌是一種上升速度高、持續時間短的尖峰脈沖。電網過壓、開關打火、虬源反向、靜電、電機/電源噪聲等都是產生浪涌的因素。而浪涌保護...
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