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      標簽　>　氮化鎵

      氮化鎵

      氮化鎵

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      氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。

      文章：1583個 瀏覽：117838次 帖子：77個

      氮化鎵資訊

      為何現在進入氮化鎵射頻市場機會已經不大?

      “現在正處于從LDMOS轉到氮化鎵的時間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽w總經理任勉表示

      2019-04-26 標簽：射頻氮化鎵 1.1萬 0

      氮化鎵遇到USB PD快充，氮化鎵充電器成為展會亮點

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      2019-04-25 標簽：充電器適配器氮化鎵 7245 0

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      隨著工業不斷地發展，截至2017年底，RF GaN市場產值已經接近3.8億美元，2023年將達到13億美元以上。

      2019-04-19 標簽：射頻氮化鎵 3698 0

      滿足全部高功率需求的氮化鎵放大器產品介紹

      ADI提供GaN IC產品，滿足我們客戶的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率范圍的全功率放大器。

      2019-06-13 標簽：放大器功率氮化鎵 3771 0

      Plessey已開發出專有的二維平面硅基氮化鎵工藝

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      2019-04-16 標簽：led顯示器氮化鎵 3352 0

      陳小龍：碳化硅晶圓國產化先鋒

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      2019-04-11 標簽：半導體氮化鎵碳化硅 5086 0

      射頻氮化鎵領域的知識產權現狀

      目前，有30多家廠商申請了與GaN MMIC相關的專利，其中，東芝和科銳擁有最重要的專利組合?？其J在該領域擁有最強大的專利布局，但作為后來者的東芝是Ga...

      2019-04-11 標簽：射頻氮化鎵半導體器件 8300 0

      浙江博方嘉芯新一代半導體智能制造項目啟動 計劃總投資達25億元

      嘉興日報消息稱，日前浙江博方嘉芯新一代半導體智能制造項目舉行啟動典禮。

      2019-04-02 標簽：半導體氮化鎵 6591 0

      曝69W雙USB-C口氮化鎵充電器進入試產階段 將支持VOOC等超級快充

      此前，我們見過了30W、45W、65W的氮化鎵USB PD充電器，但都是單USB-C接口的，今天從供應鏈獲悉了一款雙USB-C口氮化鎵充電器，總功率69W。

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      AirFuel頒發技術領袖獎 表彰無線電力行業杰出貢獻者

      2019年3月12日，由新一代無線充電技術領軍者AirFuel無線充電聯盟與天地互連聯合舉辦的“第二屆無線充電大會暨開發者論壇”在深圳蛇口南海希爾頓酒店...

      2019-03-22 標簽：氮化鎵無線充電Energous 1257 0

      可在25至300攝氏度的溫度范圍內工作的氮化鎵存儲器

      在可耐高溫的下一代電子產品方面，Zhao和他的團隊最近在IEEE Electron Device Letters上介紹了他們研發的可在25至300攝氏度...

      2019-03-21 標簽：存儲器電子器件氮化鎵 6152 0

      美研究員設計出垂直集成氮化鎵LED結構,有助提升LED顯示器效率

      美國羅徹斯特理工學院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構，有助于提高Mic...

      2019-03-15 標簽：led氮化鎵 4533 0

      是時候采用氮化鎵功率器件設計DC/DC轉換器了

      很多工程師提問關于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導體，因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個...

      2019-03-14 標簽：轉換器功率器件氮化鎵 6425 0

      新型存儲設計方案出爐,耐受高溫,助力人類登陸火星

      這種基于氮化鎵的新型存儲器件能夠在300攝氏度條件下保持運行。

      2019-03-13 標簽：存儲器氮化鎵 3222 0

      帶你走進神奇的氮化鎵！

      氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好...

      2019-03-12 標簽：氮化鎵 3.6萬 0

      濟寧高新區舉辦2019年第一批重大項目集中開工儀式

      山大氮化鎵單晶襯底項目由山東加睿晶欣新材料股份有限公司與山東大學進行產學研合作，將氮化鎵單晶襯底實驗室成果實現產業化的重點項目。項目總投資15億元，總建...

      2019-03-08 標簽：半導體氮化鎵產業鏈 1.0萬 0

      盤點國內第三代半導體廠商

      眾所周知，我國現在正在大力發展集成電路產業，第三代半導體作為下一代電子產品的重要材料和元件，自然也受到了重點關注。

      2019-02-19 標簽：半導體氮化鎵 1.9萬 0

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      1.2 驅動器設計考慮

      2019-04-08 標簽：ti功率器件氮化鎵 4787 0

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      2019-04-03 標簽：ti晶體管氮化鎵 5837 0

      采用氮化鎵材料的電子器件在無橋PFC電路中的應用(1)

      采用氮化鎵材料的電子器件在無橋PFC電路中的應用(1)

      氮化鎵功率器件及其應用(三)TI氮化鎵器件在無橋PFC設計中的應用(上)

      2019-04-03 標簽：tipfc氮化鎵 4937 0

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