關(guān)于國(guó)內(nèi)的氮化鎵供應(yīng)商介紹

根據(jù)RESEARCH AND MARKETS發(fā)布的“氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)2023年全球預(yù)測(cè)”稱，氮化鎵器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2016年的165億美元，增長(zhǎng)至2...

2019-08-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率氮化鎵 1.6萬(wàn) 0

Navitas受邀“上汽大眾”路演 創(chuàng)新型氮化鎵技術(shù)脫穎而出

納微半導(dǎo)體今天宣布受邀參加上汽大眾站“Winnovation：Wins In Innovation”路演，該路演于2019年6月28日舉行。

2019-07-31 標(biāo)簽：氮化鎵自動(dòng)駕駛Navitas 3130 0

Power Integrations全新InnoSwitch3AC-DC變換器IC可提供100W的功率輸出

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓...

2019-07-26 標(biāo)簽：變換器Power氮化鎵 1376 0

中國(guó)保持了原有的鎵產(chǎn)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位但是尚未引起關(guān)注

倫敦羅斯基爾信息服務(wù)公司的顧問(wèn)Alexandra Feytis說(shuō)，由于中國(guó)保持了原有的鎵產(chǎn)量，大多數(shù)其他國(guó)家比如德國(guó)與哈薩克斯坦的鎵產(chǎn)量已經(jīng)減少。她表示...

2019-07-25 標(biāo)簽：芯片氮化鎵5G 3900 0

總投資10億元 百識(shí)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶南京浦口

近日，南京百識(shí)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“百識(shí)”）第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)（以下簡(jiǎn)稱“浦口經(jīng)開(kāi)區(qū)”）。

2019-06-21 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體氮化鎵 8289 0

9.58億美元!美軍與雷達(dá)制造商簽署基于氮化鎵的雷達(dá)訂單

美國(guó)海軍陸戰(zhàn)隊(duì)與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門(mén)（Northrop Grumman）簽訂了一份價(jià)值9.58億美元的合同。

2019-06-20 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵 3550 0

美軍基于氮化鎵的雷達(dá)訂單由諾斯洛普?qǐng)?zhí)行 價(jià)值9.58億美元

據(jù)報(bào)道，美國(guó)海軍陸戰(zhàn)隊(duì)與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門(mén)（Northrop Grumman）簽訂了一份價(jià)值9.58億美元的合同，用于全速生產(chǎn)另外30...

2019-06-20 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵aesa 3730 0

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,或成5G時(shí)代的最大受益者之一

GaN器件則以高性能特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于通信、國(guó)防等領(lǐng)域，在5G 時(shí)代需求將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。

2019-06-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 5.8萬(wàn) 0

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

毫無(wú)疑問(wèn)，氮化鎵在半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中處于領(lǐng)先地位，可用于超級(jí)電源開(kāi)關(guān)。

2019-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3286 0

鑫谷將重磅發(fā)布全新昆侖電源概念版 引入氮化鎵半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)有望沖擊95％的超高轉(zhuǎn)換效率

臺(tái)北的五月皎陽(yáng)似火，滾滾熱浪將肉眼可見(jiàn)的光線變得彎曲漲裂，如置身于鳳凰涅槃的火海。而更讓人心潮激蕩的是，COMPUTEX TAIPEI臺(tái)北國(guó)際電腦展將在...

2019-05-24 標(biāo)簽：電源氮化鎵 891 0

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成 達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值20億元

據(jù)新華社報(bào)道，近日，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。

2019-05-21 標(biāo)簽：芯片氮化鎵能訊 7911 0

投資3億元,蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成

迎接5G無(wú)線通信對(duì)氮化鎵射頻芯片的市場(chǎng)需求，打造國(guó)產(chǎn)射頻芯片新品牌。

2019-05-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵能訊 1.9萬(wàn) 0

Soitec收購(gòu)EpiGaN nv，整合氮化鎵優(yōu)勢(shì)

法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵（簡(jiǎn)稱GaN）外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3,000萬(wàn)歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。

2019-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4287 0

法國(guó)一公司研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵MicroLED顯示屏的新工藝 將更簡(jiǎn)單且更高效

據(jù)報(bào)道，法國(guó)研究機(jī)構(gòu)Leti of CEA Tech研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法，這項(xiàng)新工藝更簡(jiǎn)單且更高效。

2019-05-17 標(biāo)簽：氮化鎵MicroLED 2970 0

中國(guó)積極布局第三代半導(dǎo)體材料！國(guó)內(nèi)都有哪些氮化鎵的供應(yīng)商？

Yole Developpement功率電子暨化合物半導(dǎo)體事業(yè)單位經(jīng)理PierricGueguen認(rèn)為，碳化硅主要適用于600V以上的高功率應(yīng)用，氮化鎵...

2019-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.7萬(wàn) 0

哪些射頻和微波技術(shù)將在2019年推動(dòng)行業(yè)發(fā)展

在更高數(shù)據(jù)速率下的高功率效率： GaN具有軟壓縮特性，使其更容易預(yù)失真和線性化。因此，它更容易用于數(shù)字預(yù)失真（DPD）高效應(yīng)用。GaN能夠在多個(gè)蜂窩頻段...

2019-05-09 標(biāo)簽：射頻氮化鎵微波技術(shù) 5912 0

69W 雙USB-C口氮化鎵充電器調(diào)試完畢,進(jìn)入試產(chǎn)階段

支持VOOC等超級(jí)快充。

2019-05-08 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 4391 0

科學(xué)家合作研發(fā)出一項(xiàng)調(diào)節(jié)LED色彩的新技術(shù)

研究團(tuán)隊(duì)描述了通過(guò)簡(jiǎn)單改變向器件提供工作電流的時(shí)間順序，對(duì)基于氮化鎵的LED進(jìn)行顏色調(diào)節(jié)的可能性。

2019-05-08 標(biāo)簽：LED顯示屏氮化鎵 2770 0

常見(jiàn)的幾種射頻半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。

2019-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵砷化鎵 1.2萬(wàn) 0

5G時(shí)代,硅基氮化鎵市場(chǎng)潛力巨大!

未來(lái)十年，氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模有望突破10億美元。

2019-04-28 標(biāo)簽：氮化鎵5G 1.4萬(wàn) 0