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投資3億元,蘇州能訊高能半導體有限公司4英寸氮化鎵芯片產線建成

MEMS ? 來源:YXQ ? 2019-05-20 16:08 ? 次閱讀
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據新華社報道,日前,蘇州能訊高能半導體有限公司4英寸氮化鎵芯片產線建成。

該產線總投資3億元,設計產能為17000片4英寸氮化鎵晶圓,達產后可實現產值20億元,以迎接5G無線通信對氮化鎵射頻芯片的市場需求,打造國產射頻芯片新品牌。

據官網顯示,蘇州能訊致力于寬禁帶半導體氮化鎵電子器件技術與產業化,采用整合設計與制造(IDM)的模式,自主開發了氮化鎵材料生長、芯片設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應用電路技術。目前公司擁有專利280項,其中:中國發明186項,國際發明69項,實用新型25項、專利使用授權40項。

能訊半導體曾在江蘇昆山國家高新區建成了氮化鎵(GaN)電子器件工廠,廠區占地55畝,累計投資10億元。完成了面向5G通信系統的技術與產品的積累,產品性能已通過國際一流通訊企業的測試與認證

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原文標題:蘇州能訊4英寸氮化鎵芯片產線建成,迎接5G通信對射頻芯片市場需求

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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