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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）碳化硅在新能源汽車上如魚得水，同為第三代半導(dǎo)體的氮化鎵，目前市場則主要集中在消費電子領(lǐng)域，在消費電子市場站穩(wěn)之后，其實業(yè)界...
2023-04-03 標(biāo)簽：新能源汽車氮化鎵第三代半導(dǎo)體 3113 0
碳化硅襯底產(chǎn)品通過外延和核心器件企業(yè)，制成的終端產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統(tǒng)。
發(fā)貨量超75,000,000顆！納微半導(dǎo)體創(chuàng)氮化鎵功率器件出貨“芯”高峰
下一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者創(chuàng)下行業(yè)新里程碑，全面進軍電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能、家用電器、工業(yè)和移動快充領(lǐng)域，該市場潛力達每年130億美元。 美國加利福尼亞...
2023-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 844 0
納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解：更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片
自氮化鎵進軍快充市場以來，不過短短幾年時間，其憑借著極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性，使得采用氮化鎵功率芯片的充電器， 能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充...
納微半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片，引領(lǐng)氮化鎵邁入集成新高度
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成， 實現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面...
2023-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 1055 0
針對工業(yè)和400V系統(tǒng)汽車電源，PI推出新款PowiGaN InnoSwitch-3器件
PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術(shù)，可提供高達100...
日企市場份額占比超9成，國內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近國內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬...
2023-03-27 標(biāo)簽：氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導(dǎo)體 3735 0
湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進展
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無法比擬的優(yōu)勢。然而，散熱問題是制約其...
2023-03-24 標(biāo)簽：氮化鎵晶格半導(dǎo)體器件 1032 0
氮化鎵應(yīng)用拓展加速，從快充跨步到數(shù)據(jù)中心
據(jù)統(tǒng)計，來自消費電子快充的需求是整個氮化鎵市場主要的驅(qū)動力，占氮化鎵器件市場總規(guī)模的60%。作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵器件得益于固有優(yōu)勢，未來會在功率領(lǐng)域...
2023-03-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵快充 871 0
氮化鎵應(yīng)用拓展加速，從快充跨步到數(shù)據(jù)中心
在廠商的推廣和終端產(chǎn)品的面世后，氮化鎵器件的優(yōu)勢大家也都有所耳聞了。更快的開關(guān)速度省去了更多的無源器件，從而實現(xiàn)了更小的體積和更低的成本；更小的開關(guān)損耗...
2023-03-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵 1756 0
GaN要快速擴散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
價格下降、與Si器件價差縮小，氮化鎵或成終端廠商進入高端市場的“寶劍”
價格下降、與Si器件價差縮小 ，氮化鎵 或成終端廠商進入高端市場的“寶劍” ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵材料由于具備禁帶寬...
至2023整個財年，英飛凌預(yù)計營收將達到約155億歐元（±5億歐元）。如果營收為預(yù)測區(qū)間的中點，則調(diào)整后的毛利潤率預(yù)計將達到45%左右，利潤率在25%左...
Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的可持續(xù)未來
3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心 【2023年3月13日，英國劍橋訊】Cambridge GaN Devi...
一、氮化鎵PD快充市場前景 2020年已成為氮化鎵快充爆發(fā)的一年。據(jù)統(tǒng)計，在作為消費類電子風(fēng)向標(biāo)的手機行業(yè)中，目前已有多家知名手機品牌先后推出了基于手機...
納微半導(dǎo)體2022年第四季度及全年財報亮眼 2022年收入增長60%
1 2022年收入增長60%。 2 納微藉技術(shù)、終端市場、地域多樣化形成規(guī)模優(yōu)勢。 3 取代功率半導(dǎo)體器件中的傳統(tǒng)硅應(yīng)用；實現(xiàn)新增長市場電氣化。 下一代...
羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司市場宣傳課高級經(jīng)理張嘉煜表示，羅姆擁有世界先進的碳化硅及氮化鎵技術(shù)，打造了高效處理電力的功率半導(dǎo)體器件，面向汽車、工業(yè)設(shè)備等應(yīng)...
借助 GaN，智能手機制造商可以制造外殼尺寸更小且性價比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價比硅貴，但更高的頻率和更高的功率密度值導(dǎo)致每瓦美元更...
近年來，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場拓展打開全新空間，氮化鎵智能插...
UE Electronic即將推出新型氮化鎵智能插座，全方位展現(xiàn)品質(zhì)高端、時尚性能
人們消費需求追求個性化、多樣化、品質(zhì)化，“品質(zhì)+時尚”的消費日益走俏，消費場景更加多元，智能插座市場規(guī)模不斷擴大，新型智能插座將掀起消費升級的浪潮。UE...
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