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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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移動通信標準5G開發基于氮化鎵(GaN)的經濟高效的高性能技術
基站是蜂窩網絡的連接點。它們記錄無線電小區的傳輸數據并將其傳遞。為了確保未來毫米波頻段內的數據泛濫,基站技術需要滿足兩個標準:輸出功率需要提高,同時保持...
氮化鎵技術研究新進展,如何作為“電力電子應用中敏感探針”使用?
美國康奈爾大學,IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...
歐盟制定了一個雄心勃勃的目標,即到2050年將其總體溫室氣體排放量降低至少80%。要實現該目標,汽車行業的貢獻將非常重要。美國企業平均燃油經濟性(CAF...
中國首家商用氮化鎵(GaN)電子器件生產企業蘇州能訊高能半導體有限公司 (Dynax Semiconductor, Inc.),發布適合5G移動通信的寬...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質...
為管理今天的熱設計,電路設計人員讓熱量在半導體表面擴散,增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是,熱設計不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙,因為...
最近,麻省理工學院(MIT)、半導體公司IQE、哥倫比亞大學、IBM以及新加坡MIT研究與技術聯盟的科研人員展示出一項新型設計,讓氮化鎵功率器件處理的電...
以前,GaN還是反射頻電子戰(CREW)應用的首選技術; 現在,GaN已被部署到機載電子戰領域; 未來,GaN將會越來越多的用于工作在毫米波頻率的系統。
實現超高功效的新一代非對稱型Doherty放大器QPD2731
該新一代碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管,可最大限度提高線性度、效率和增益,并最終降低運營成本。
今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍,GaN逐漸成為主流,開始滲透一些批量需求的商業市場。 GaN已經在大部分高功率軍事應用中站穩了腳跟,并且還抓住了...
“設計人員必須知道如何正確且安全地構建這些產品,這也需要更高的專注度和更加嚴格的要求,因為通常設計人員面臨的不僅僅是一個電氣問題,”TI的電源管理專家D...
氮化鎵(GaN),作為時下新興的半導體工藝技術,提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比,GaN在電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍,廣泛應用于功率因數...
近年來氮化鎵(GaN)系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器(LCD)之背光模組、光學儲存系統、高頻與大功率之微波電子元件等商業用途。然而...
過去在電子工業中知名的普萊思半導體有限公司,已交付到能夠一次處理7個6英寸的晶片的Aixtron(愛思強)公司,并用于生產高亮度LED。普萊思正在利用自...
據物理學家組織網近日報道,一種新的制造技術有望大幅降低發光二極管(LED)的生產成本,進一步推動其普及進程。
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