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實(shí)現(xiàn)超高功效的新一代非對(duì)稱型Doherty放大器QPD2731

Qorvo半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2017-08-30 18:07 ? 次閱讀

Qorvo宣布推出一款全新的非對(duì)稱型 Doherty 放大器---QPD2731,有助于客戶在設(shè)計(jì)無(wú)線基站設(shè)備的過(guò)程中實(shí)現(xiàn)超高功效。該新一代碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)解決方案在單個(gè)封裝中采用兩個(gè)晶體管,可最大限度提高線性度、效率和增益,并最終降低運(yùn)營(yíng)成本

Strategy Analytics 服務(wù)總監(jiān) Eric Higham表示,相比 GaAs 和 InP 等其他高頻技術(shù),GaN 器件可以處理更高的功率;相比 LDMOS 等其他功率技術(shù),GaN 的頻率性能更出色。

Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理 Roger Hall 表示:“如今的電信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)就是要實(shí)現(xiàn)可降低成本的高功效。我們的客戶告訴我們,隨著運(yùn)營(yíng)商在線提供更多功能,新型 GaN-on-SiC QPD2731 晶體管可實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。”

因?yàn)?LDMOS 和 GaN-on-Si 與之相比,熱性能較差,客戶正越來(lái)越多地轉(zhuǎn)向使用 GaN-SiC,以大幅改善無(wú)線基站的性能、線性度和效率。QPD2731 通過(guò)預(yù)匹配分立式GaN-on-SiC 高電子遷移率晶體管(HEMT)實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)變。目前提供樣片的這款新型放大器可在 2.5 至 2.7 GHz 的工作范圍內(nèi)提供業(yè)內(nèi)最高性能。

根據(jù) Qorvo 之前發(fā)布的內(nèi)容,通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的市售第三方 DPD 系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn) QPD2731 的線性化。

Qorvo 提供包含不同功率、電壓和頻率級(jí)別水平的廣泛的氮化鎵(GaN)分立式晶體管產(chǎn)品,采用裸片級(jí)和封裝級(jí)解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:實(shí)現(xiàn)超高功效的新一代非對(duì)稱型Doherty放大器QPD2731

文章出處:【微信號(hào):Qorvo_Inc,微信公眾號(hào):Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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