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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W功率的產(chǎn)品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
幾十年來,硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發(fā)出來,提供獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如,有了化合物半...
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術 :其屬性、優(yōu)點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當今這個技術驅(qū)...
氮化鎵充電器有什么優(yōu)點?拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來看這個充電器如何?
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN)+碳化硅(SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。
IQOO這款120W適配器整體采用一體成型制造,采用破壞性拆解,不具備復原性和可維修性,電源內(nèi)部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體,提高適配器防水...
小米55w氮化鎵充電器怎么樣?小米氮化鎵充電器拆解評測氮化鎵芯片
小米55W氮化鎵適配器的電源內(nèi)部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體,提高適配器整體防水性、導熱性。并且元器件沒有位移空間,起到提高耐候性,增強適配...
通過采用電子馬達驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機的增強型控制,此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
【全套國產(chǎn)芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設計評測
對亞成微 65W氮化鎵快充參考設計進行溫升測試,在溫度約為25℃的恒溫箱內(nèi)以 功率持續(xù)輸出1小時,測得該方案正面最高溫度約為108℃,最高溫度點出現(xiàn)在變...
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品, 可以讓客戶提高整機效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
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