如何對氮化鎵基發光二極管結構進行干法刻蝕

氮化鎵作為一種寬帶隙半導體，已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優...

2022-04-26 標簽：發光二極管氮化鎵蝕刻 2345 0

現場可編程門陣列 (FPGA) 電源設計

為了擴大 GaN 在汽車、并網存儲和太陽能等新應用中的應用（圖 3），TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。 該平臺...

2022-04-22 標簽：fpga氮化鎵GaN 5646 0

一種強有力的各向異性濕法化學刻蝕技術

我們展示了在c平面藍寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結晶蝕刻，蝕刻速率高達3.2mm/min。晶體...

2022-04-14 標簽：工藝氮化鎵蝕刻 1583 0

氮化鎵(GaN)技術的優勢及應用領域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀 90 年代亮相，目前廣泛應用于商業和國防領域，但工程應用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...

2022-03-10 標簽：射頻氮化鎵GaN 1.1萬 0

GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報告

氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學穩定性，已成為短波長發射器（發光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應用的誘人半導體，以及高功率和高溫電子器件。...

2022-02-08 標簽：氮化鎵CMPGaN 3866 0

射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇

在現代5G無線電架構中部署的射頻功率放大器（PA）在滿足對更高性能和更低成本的明顯矛盾的需求方面起著重要作用。

2022-01-26 標簽：射頻功率放大器無線電 4036 0

利用氮化鎵芯片組實現高效率、超緊湊的反激式電源

在傳統的有源鉗位設計中，初級MOSFET和有源鉗位開關以互補方式進行工作（因此這些鉗位電路被稱為“互補模式有源鉗位”電路）。

2021-10-27 標簽：變壓器MOSFET氮化鎵 1651 0

氮化鎵如何使更輕小的5G解決方案成為可能

隨著 5G 的推出，下一代蜂窩網絡有望提供三種非常重要的功能，進而改變我們應用無線技術的方式。

2021-09-15 標簽：無線電氮化鎵柵極驅動器 3887 0

氮化鎵充電器有什么優點？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內部來看這個充電器如何?

倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...

2021-08-31 標簽：充電器asic氮化鎵 1.2萬 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化鎵技術的“甜區”在哪里？

2021-06-02 標簽：MOSFET逆變器IGBT 3125 0

ROHM借助更合適的同步整流技術滿足市場需求

如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續的情況，那么MOSFET將無法打開，且電流會流過體二極管，從而導致MOSFET過熱。

2021-05-18 標簽：MOSFET氮化鎵同步整流 1796 0

電機驅動中氮化鎵技術的應用前景

通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現對電機的增強型控制，此類驅動器通常會產生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用...

2021-04-28 標簽：電機驅動功率器件氮化鎵 2691 0

用氮化鎵消除激光雷達的障礙

激光雷達的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進行的（遠程）檢測和測量。這種裝置采用了經典、簡單的雷達原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...

2021-04-14 標簽：傳感器氮化鎵激光雷達 1307 0