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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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高效的 AC/DC 電源是電信和數據通信基礎設施發展的關鍵，因為超大規模數據中心、企業服務器或電信交換站的功耗會迅速增長。然而，電力電子行業已經達到了硅...
一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產...
傳統上，半導體生產中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數還提供額外的好處，例如碳...
在進行碳化硅、氮化鎵功率器件研發和特性評估、功率模塊開發和特性評估、電源設計器件選型、電源調試以及學術研究時，都需要對其驅動波形進行測試，這時大多數工程...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬、機械穩定的寬帶隙半導體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的導熱性和更低的導通電阻，其性能明顯...
氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無線充電，而且遠距離無線輸電也在采用氮化鎵技術。
制造大直徑GaN襯底的要點（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導體氮化鎵襯底的研發得益于早期LED氮化鎵襯底技術的積累。
2022-11-18 標簽：氮化鎵 2921 0
報告內容包含： 動機 理論計算 氮化鎵材料參數 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態電阻 (RON)
MICLEDI認為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨特的優勢，可滿足AR眼鏡最高性能標準。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內或較暗場景的...
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅動電源-常規雙極驅動程序 GaN GIT （G...
當受到戰術機動性和極端操作環境的限制時，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
在新能源汽車方面主要應用在DC/AC逆變器、DC/DC轉換器；3）在工業領域方面主要應用在電力配送、鐵路運輸、光伏產業、電機控制以及風電渦輪機。
新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅系統的中樞神經，管理電池中的電能與電機之間的流向、傳遞速度。傳統 PCU 使用硅基材料半導體制成，強電流與高壓...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有...
兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統硅 (Si) 器件，具有顯著優勢。
初級主控芯片來自智融，型號為SW1106，是一顆支持增強型氮化鎵開關管直驅的高頻反激準諧振控制器，芯片內部集成氮化鎵驅動器，驅動電壓為6V，可直接驅動增...
2022-09-13 標簽：氮化鎵 2144 0
GaN產業鏈按環節分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍寶石)、GaN材料外延、器件設計、器件制造、封測以及應用。各個環節國內均有企業涉足,如在射頻...
氮化鎵復合物由鎵和氮原子排列構成，最常見的是纖鋅礦晶體結構。纖鋅礦晶體結構(圖1-1)是一種六邊形結構，其特征是有兩個晶格常數(圖中標記為a 和 c)。
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