在進行碳化硅、氮化鎵功率器件研發和特性評估、功率模塊開發和特性評估、電源設計器件選型、電源調試以及學術研究時，都需要對其驅動波形進行測試，這時大多數工程師會選擇使用光隔離探頭來獲取準確的開關過程驅動波形和串擾過程驅動波形。

在獲得準確驅動波形測量結果的過程中，工程師們最擔心發生的情況就是炸管，最害怕的就是測試設備，特別是昂貴的光隔離探頭會不會受到牽連而損壞呢？

我們記錄了炸管瞬間發生的情況，來驗證工程師擔心的情況會不會發生？

上圖為使用泰克IsoVu光隔離探頭時發生變換器炸機的波形

可以看到，在SiC MOSFET正常工作時突然發生波形異常，驅動波形迅速上升并超過示波器屏幕。通過分析可知，此時SiC MOSFET發生損壞，G和S壓差可能達到幾十至上百伏，最高可達到此時的母線電壓800V。這么高的電壓，讓我們不禁為探頭的安危捏了一把汗。這位工程師取下探頭后進行簡單測試，看到測得的波形一切正常，說明IsoVu光隔離探頭經受住了考驗。

這次大難不死是僥幸還是實力所在呢？接下來就讓我們通過一項過載測試來一探究竟。

過載測試

1. IsoVu光隔離探頭設置為：

光隔離探頭型號為TIVP1

衰減接頭為TIVPMX10X，其差模量程50V，滿足驅動波形測量范圍要求并能夠獲得較高的精度。另外TIVPMX10X數據手冊中給出其最大不損壞電壓是+/-250Vpk）

直流耦合

2. 耐壓測試步驟：

按照上述條件對TIVP1光隔離探頭進行設置

完成TIVP1光隔離探頭預熱和自校準

使用TIVP1光隔離探頭完成一次碳化硅開關過程驅動波形測試，保存波形作為后續參照波形

TIVP1光隔離探頭接脈沖高壓生成電路，如下圖所示

脈沖高壓生成電路輸出250V/5us單脈沖，使用TIVP1光隔離探頭抓去波形，如下圖所示

使用TIVP1光隔離探頭完成一次碳化硅開關過程驅動波形測試，保存波形并與之前測得的參照波形進行對比。

重復以上操作，使高壓脈沖以250V步進覆蓋250V-1100V，脈寬長度以2.5us覆蓋5us-10us。

在測量完高壓脈沖型號后，探頭和示波器均沒有出現故障提示，隨后測得的驅動波形與參考波形完全重合。這說明，即使當被測信號幅值遠高于數據手冊給出的最大不損壞電壓，TIVP1光隔離探頭也并沒有被損壞，且功能完全正常。至此，TIVP1光隔離探頭經受住了過載測試。

通過變換器實測和耐壓測試，證明了IsoVu光隔離探頭具有很強的過載能力，在被測信號遠高于探頭數據手冊標注的最大不損壞電壓也不會損壞，測量功能也保持正常。真金不怕火煉，這樣一根不會被“折斷”的測試“魔法棒”，大家可以放心使用。

關于探頭

泰克科技的IsoVu光隔離探頭一經推出就以其優異的特性受到了廣大工程師的認可并得到廣泛應用，并得到了針對第三代半導體測試“魔法棒”的美譽。近日，2022年度的全球電子成就獎獲獎名單公布，泰克IsoVu光隔離探頭榮獲【全球電子成就獎2022年度創新產品獎】。

泰克IsoVu光隔離探頭具有高共模抑制比、最小測量環路、高共模范圍低衰減倍數等特點，能夠準確測量碳化硅、氮化鎵的開關過程驅動波形和串擾過程驅動波形，特別是在測量半橋電路的上橋臂器件驅動波形時相比于高壓差分探頭具有降維打擊式的優勢。

在進行碳化硅、氮化鎵功率器件研發和特性評估、功率模塊開發和特性評估、電源設計器件選型、電源調試以及學術研究時，都需要對其驅動波形進行測試，也都是IsoVu光隔離探頭發揮能力的舞臺。如下圖所示，只有使用IsoVu光隔離探頭才能獲得準確的開關過程驅動波形和串擾過程驅動波形。

關斷過程

開通串擾過程

審核編輯：湯梓紅