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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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隨著半導體化合物持續發展,相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體,第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率、高工作溫度等優點。以SiC和G...
與普通半導體的硅材料相比,氮化鎵的帶隙更寬且導熱好,能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感,所以氮化鎵充電器有體積小、效率高、更安全等優勢。
相對于硅材料,使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件,可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本,允許設備在更高的溫度、電...
第三代半導體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢。因此采用第三代半導體材料制備的半導體器件能在更高的溫度下穩定運...
氮化鎵是半導體與微電子產業的新星,其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性。業界已經公認氮化鎵(GaN)半導體器件產品將統治微波放大...
隨著消費電子產品、電動車、家用電器等產品更新換代,產品的性能也越來越受重視,尤其是在功率設計方面。如何提升電源轉換能效,提高功率密度水平,延長電池續航時...
氮化鎵工藝技術是什么意思? 氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常...
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
自打百瓦快充大戰興起,充電器的功率密度不斷提升,氮化鎵和碳化硅第三代半導體的加入,使得PD快充可以做更小體積,縱使是百瓦也能做成一個非常小的尺寸。 ...
隨著氮化鎵技術的不斷發展,氮化鎵也應用在了很多新興領域,充電頭網此次選取了手機、車充、PC電源、服務器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景,幫助大家掌握...
對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
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氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關,更高的熱導率和更低的導通電阻,氮化鎵基功率器件...
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