第一、二、三代半導體什么區別？

第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。

2023-04-04 標簽：新能源汽車MOSFET摩爾定律 1.7萬 0

銀燒結技術在功率模塊封裝的應用

作為高可靠性芯片連接技術，銀燒結技術得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導體頭部公司相繼推出類似技術，已在功率模塊的封裝中取得了應用。

2023-03-31 標簽：IGBT氮化鎵功率模塊 3754 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而飽受關注。

2023-03-28 標簽：IGBTSiC氮化鎵 3272 0

基于氮化鎵的電力電子器件和轉換器

對于電阻負載，當前波形的形狀與電壓波形電流波形不平滑，紋波含量高。

2023-03-27 標簽：轉換器電力電子器件氮化鎵 358 0

擴展到900V的氮化鎵產品滿足汽車、家電及工業類應用需求

日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術培訓經理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應用...

2023-03-24 標簽：功率開關PDSiC 1120 0

淺談納米氮化鎵的合成制備方法

GaN 是一種優異的直接帶隙半導體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優良的光電性能、熱穩定性及化學穩定性，是制作高亮度藍綠發光二極管( LED) ...

2023-03-23 標簽：發光二極管激光二極管氮化鎵 2002 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優勢？

GaN：由鎵（原子序數 31） 和氮（原子序數 7） 結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。

2023-03-22 標簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導體 7103 0

探索GaN-on-Si技術難點

GaN-on-Si LED技術是行業夢寐以求的技術。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；

2023-03-10 標簽：led氮化鎵GaN 1591 0

一文讀懂全球碳化硅先驅GeneSiC

憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產品組合，納微半導體以雙擎驅動的姿態在電力電子能源轉換領域高歌前進。

2023-02-27 標簽：MOSFETSiC氮化鎵 540 0

氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關系

氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料，具有許多優異的電子、光學和機械性質，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的...

2023-02-25 標簽：氮化鎵GaNLEDs 1158 0

ST數字電源指南概述

數字電源是一種將數字控制技術應用于電源管理應用的能量轉換系統，具有更高的功率密度，更快的控制回路，能管理復雜拓撲以及設計靈活性等諸多優勢。 關鍵特性與優...

2023-02-22 標簽：電源管理ST數字電源 1118 0

碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場景在哪里？

碳化硅（SiC）由硅（原子序數14）和碳（原子序數6），形成類似于金剛石的強共價鍵，是一種堅固的六方結構化合物，具有寬禁帶半導體特性。

2023-02-22 標簽：氮化鎵碳化硅 4136 0