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      標簽　>　氧化鎵

      氧化鎵

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      文章：83個 瀏覽：10612次 帖子：1個

      氧化鎵技術

      探討氧化鎵基肖特基勢壘二極管的研究結果

      重點從器件工藝、結構和邊緣終端技術等角度評述了優化 Ga2O3基 SBD 性能的方法，并對 Ga2O3基 SBD 的進一步發展趨勢進行了展望。

      2023-04-08 標簽：二極管氧化鎵 1647 0

      功率二極管和功率晶體管的國內外研究總結

      對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內外最新研究進行了概括總結，展望了Ga2O3在未來的應用與發展前景。

      2023-03-30 標簽：功率器件氧化鎵寬禁帶半導體 545 0

      四代半導體的發展現狀，氧化鎵新進展介紹

      半導體內部的價電子通常被共價鍵束縛，無法自由移動，自然也就無法參與導電。所有價電子所處的能帶區域被稱為價帶，價電子在受到熱、光、電、磁等方式的激發時

      2023-03-29 標簽：晶體硅氧化鎵 2852 0

      高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

      氧化鎵（Ga2O3）是一種新興寬禁帶半導體（禁帶寬度為4.9 eV），具有熱穩定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數大、材料易加工等優點，是日盲紫外探測理想的...

      2023-03-28 標簽：探測器紫外氧化鎵 6250 0

      氧化鎵功率器件的研究新發展總結

      相比于目前常見的寬禁帶半導體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質因數更大、預期生長成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。

      2023-03-13 標簽：功率二極管功率器件功率晶體管 627 0

      一文讀懂氧化鎵（第四代半導體）

      氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩定，當加熱至一定高溫時，其他亞穩態均轉換為β相，在熔點1800℃...

      2023-03-12 標簽：半導體晶體氧化鎵 1.2萬 0

      一文看懂氧化鎵的晶體結構性質和應用領域

      氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩定，當加熱至一定高溫時，其他亞穩態均轉換為β相，在熔點1800℃...

      2023-03-08 標簽：碳化硅氧化鎵 4707 0

      一文解析氧化鎵襯底的長晶與外延工藝

      氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制造P型半導體。近期斯坦福、復旦等團隊已在實驗室實現了氧化鎵P型器件，預計將逐步導入產業化應用。

      2023-02-27 標簽：氧化鎵寬禁帶半導體 2826 0

      氧化鎵技術研究再獲新突破

      Ga2O3與硅(Si)相比具有耐壓高、功耗低、大尺寸單晶比較容易制作等特點。因此，作為搭載于電動汽車等的功率半導體材料的候補材料而備受矚目。

      2023-02-24 標簽：電動汽車氧化鎵 450 0

      第四代寬禁帶半導體材料——氮化鎵

      第一代半導體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導體材料；第二代半導體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導體材料

      2023-02-23 標簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導體 5010 0

      氧化鎵的性能、應用和成本 氧化鎵的應用領域

      我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應，外延、器件環節產業化進程幾乎空白，研發主力軍和突出成果都在高校和科研院所當中。

      2023-02-22 標簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導體 4318 0

      在氧化鎵基日盲雪崩探測器研究領域取得新突破！

      研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎上（ACS Nano，2021，15：16654），經過不斷探索，通過插入合適的寬帶隙材料...

      2023-02-10 標簽：晶格光電探測器氧化鎵 1326 0

      北郵在氧化鎵基日盲雪崩探測器研究領域取得新突破

      研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎上（ACS Nano，2021，15：16654），經過不斷探索，通過插入合適的寬帶隙材料...

      2023-02-06 標簽：半導體光電探測器氧化鎵 1039 0

      談談熱門的氧化鎵

      高效的超高壓功率轉換設備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導體。寬帶隙(WBG)半導體碳化硅(SiC)已經成熟成為電力電子的商業技術平臺，...

      2022-11-29 標簽：半導體晶體管氧化鎵 1114 0

      使用導模法生長4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

      晶體生長使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應加熱，銥金發熱體、銥金模具，銥 金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。

      2022-11-23 標簽：二極管晶體氧化鎵 4077 0

      技術突破：中國電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶

      技術突破：中國電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶

      由圖可以看出，β-Ga2O3的主要優勢在于禁帶寬度，但也存在著不足，主要表現在遷移率和導熱率低，特別是導熱性能是其主要短板。不過，相對來說，這些缺點對功...

      2019-03-01 標簽：晶圓功率器件氧化鎵 7763 0

      氧化鎵在電子器件應用的現狀和潛在發展

      氧化鎵在電子器件應用的現狀和潛在發展

      氧化鎵應用范圍從實現可用到可靠的組件，最后再到可插入可持續市場基礎設施等各個方面。但Ga2O3還是存在一個重要的直接缺點：它的導熱率很低（10-30 W...

      2019-01-24 標簽：半導體功率半導體氧化鎵 1.9萬 0

      超寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件專刊

      超寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件專刊

      西安電子科技大學微電子學院周弘副教授總結了目前氧化鎵半導體功率器件的發展狀況。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質量外延層生長、高性能二極管以及場效應晶體...

      2019-01-10 標簽：半導體電子器件氧化鎵 1.7萬 0

      陶緒堂：氧化鎵單晶生長技術

      陶緒堂：氧化鎵單晶生長技術

      β-Ga2O3晶體因其卓越的材料性能，在深紫外光電探測以及超高壓功率器件方面優勢非常明顯。β-Ga2O3禁帶寬度為4.9eV，吸收截止邊位于250 nm...

      2019-01-10 標簽：半導體電子器件氧化鎵 1.0萬 0

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