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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器

+關(guān)注8人關(guān)注

  柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。

文章:672個(gè) 瀏覽:39650 帖子:52個(gè)

柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)

如何使用BLDC電機(jī)克服緊湊電機(jī)控制系統(tǒng)面臨的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

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當(dāng)更改柵極驅(qū)動(dòng)器狀態(tài)時(shí),IDRIVE 會(huì)應(yīng)用于 tDRIVE 周期,該周期必須足夠長(zhǎng),才能確保柵極電容完全充電或放電。根據(jù)經(jīng)驗(yàn),選擇 tDRIVE 時(shí)應(yīng)...

2022-08-02 標(biāo)簽:MOSFETBLDC電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器 801 0

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

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2023-12-01 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率密度 776 0

如何有效減輕高壓電動(dòng)汽車(chē)柵極驅(qū)動(dòng)器的故障

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高壓柵極驅(qū)動(dòng)器在確保電動(dòng)汽車(chē)的電力流動(dòng)可靠控制方面至關(guān)重要。從控制逆變器的IGBT或MOSFET的開(kāi)關(guān)到監(jiān)測(cè)和管理電池的充電狀態(tài)、健康狀況和熱條件,高壓...

2024-08-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器高壓 769 0

德州儀器通過(guò)聯(lián)鎖柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)提高三相逆變器的魯棒性

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變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)是工業(yè)自動(dòng)化機(jī)械的重要組成部分。它們能夠高效地驅(qū)動(dòng)泵、風(fēng)扇、傳送帶、計(jì)算機(jī)數(shù)控機(jī)床和機(jī)器人自動(dòng)化解決方案,有助于降低工廠的總能耗。若...

2023-08-04 標(biāo)簽:mcu德州儀器逆變器 766 0

技術(shù)資料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

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LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3622 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成...

2025-02-24 標(biāo)簽:封裝電流檢測(cè)GaN 758 0

概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件

概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。

2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 710 0

技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 120mΩ GaN FET

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R24C2T25可簡(jiǎn)化SiC的選擇和評(píng)估過(guò)程

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毫無(wú)疑問(wèn),寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。

2024-05-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 701 0

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)

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報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 ...

2023-12-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 695 0

技術(shù)文檔:LMG3616 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET

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LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成...

2025-02-24 標(biāo)簽:GaN柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)模式電源 683 0

技術(shù)資料#UCC5304 5kVrms,4A/6A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,帶5V UVLO,適用于GaNFETs和MOSFETs

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UCC5304器件是一款隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它旨在驅(qū)動(dòng) PFC、隔離式 AC/DC、DC/DC 和同步整...

2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器 662 0

LM25141 低 Iq、寬輸入范圍同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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LM25141 是一種同步降壓控制器,用于高壓寬 V~在~降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。控制方法是峰值電流模式控制。電流模式控制提供固有的線路前饋、逐周期電流限制和輕...

2025-03-24 標(biāo)簽:emi峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器 656 0

技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)

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LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...

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LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) S...

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產(chǎn)品概述#UCC27714 4A、600V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

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UCC27714 是一款 600V 高側(cè)、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個(gè)...

2025-02-26 標(biāo)簽:電源MOSFET引腳 629 0

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LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用中的 75W 有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器<。該LMG2...

2025-02-24 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 618 0

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IGBT IPM的錯(cuò)誤輸出功能

本文將介紹“保護(hù)功能和工作時(shí)序”系列的第五個(gè)功能——“錯(cuò)誤輸出功能(FO)”。

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SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

柵極驅(qū)動(dòng)器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動(dòng)電壓的影響以及驅(qū)動(dòng)...

2025-05-06 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 591 0

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技術(shù)文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

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UCC25640x 是一款功能齊全的 LLC 控制器,具有集成的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器。它設(shè)計(jì)為與 PFC 控制器配對(duì),以使用最少的外部元件提供完整的電源系統(tǒng)。...

2025-03-21 標(biāo)簽:PFC電源系統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器 551 0

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  • 28nm
    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    PFM
    +關(guān)注
    壓電力顯微鏡(PFM)即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào),通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率(遠(yuǎn)低于探針共振頻率)的激勵(lì)信號(hào),通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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