關于臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒的研究報告

摘要 本研究開發了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟膜和顆粒。僅經過商業脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200...

2022-01-26 標簽：半導體晶片清洗工藝 567 0

關于使用酸性溶液對硅晶片進行異常各向異性蝕刻研究

介紹 在本文中，我們首次報道了實現硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面...

2022-01-20 標簽：半導體晶片 937 0

半導體晶片濕蝕工藝的浮式數值分析

本研究透過數值解析，將實驗上尋找硅晶片最佳流動的方法，了解目前蝕刻階段流動的形式，并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用...

2022-01-19 標簽：半導體晶片 718 0

關于刷洗清洗過程中的顆粒去除機理的研究報告

引言 隨著集成電路結構尺寸的縮小，顆粒對器件成品率的影響變得越來越重要。為了確保高器件產量，在半導體制造過程中，必須在幾個點監控和控制晶片表面污染和缺陷...

2022-01-18 標簽：半導體晶片 803 0

關于硝酸濃度對硅晶片腐蝕速率的影響報告

引言 薄晶片已經成為各種新型微電子產品的基本需求。其中包括功率器件、分立半導體、光電元件和用于射頻識別系統的集成電路。機械研磨是最常見的晶圓減薄技術，因...

2022-01-17 標簽：半導體晶片 1083 0

對于不同KOH和異丙醇濃度溶液中Si面蝕刻各向的研究

引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結構的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(...

2022-01-13 標簽：蝕刻晶片 2260 0

刷洗清洗過程中的顆粒去除機理—江蘇華林科納半導體

引言 化學機械拋光是實現14納米以下半導體制造的最重要工藝之一。此外，化學機械拋光后缺陷控制是提高產量和器件可靠性的關鍵工藝參數。由于亞14納米節點結構...

2022-01-11 標簽：半導體晶片 832 0

控制堿性蝕刻液的表面張力

引言 氫氧化鉀(KOH)和添加劑2-丙醇(異丙醇，IPA)通常用于單晶硅片的堿性織構化，以減少其反射。氫氧化鉀和異丙醇在水中的蝕刻混合物需要明確定義氫氧...

2022-01-04 標簽：蝕刻晶片表面張力 1196 0

在HF溶液中蝕刻期間GaAs上的砷形成

引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術、輪廓術和x光電子能譜...

2021-12-28 標簽：蝕刻晶片光刻膠 1146 0

用于化學分析的Si各向異性濕法化學蝕刻

分析化學小型化的一個方便的起點是使用單c：晶體硅作為起始材料，微加工作為使技術，濕化學蝕刻作為關鍵的微加工工具。在本文中，我們回顧了硅微加工，并描述了形...

2021-12-22 標簽：晶圓晶片 1577 0

無化學添加劑的單晶硅晶片的無損拋光

半導體行業需要具有超成品表面和無損傷地下的硅晶片。因此，了解單晶硅在表面處理過程中的變形機制一直是研究重點。

2021-12-22 標簽：晶片單晶硅 1258 0

晶片鍵合技術和薄膜傳輸技術

結合離子注入工藝、激光照射和去除犧牲層，晶片鍵合技術是將高質量薄膜轉移到不同襯底上的最有效方法之一。本文系統地總結和介紹了蘇州華林科納的晶片鍵合技術在電...

2021-12-21 標簽：晶片GBDT 3044 0

渦街流量計檢測技術之壓電晶體式傳感器

漩渦發生體是渦街流量計的關鍵部件 , 儀表的流量特性（儀表系數、線性度、范圍度等）和阻力特性都與它的幾何形狀、幾何參數和排列方式密切相關。流體通過漩渦發...

2021-12-16 標簽：晶片壓電傳感器 1406 0