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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。
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氮化鎵晶體管型號參數主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
按晶圓尺寸計算,GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產力并在單個批...
硅基氮化鎵(GaN-on-silicon)LED始終備受世人的關注。在最近十年的初期,當 Bridgelux(普瑞光電)公司宣布該技術可減低 LED 照...
論文中提出了一種捕獲型紅外器件工作原理及設計方法(圖1)。通過液相配體交換的方法,實現對量子點摻雜類型及濃度的精準調控。在近本征量子點薄膜頂層涂覆具有強...
設備功能:將兩片晶圓互相結合,并使表面原子互相反應,產生共價鍵合,合二為一,是實現3D晶圓堆疊的重要設備。
第三代半導體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢。因此采用第三代半導體材料制備的半導體器件能在更高的溫度下穩定運...
從6寸把它發展到8寸,這樣在襯底上做出來的器件,就可以降低單個器件的襯底所占的成本,這是一個國際上發展的趨勢。
隨著摩爾定律的放緩,芯粒(Chiplet)和異構集成 (HI:heterogenous integration) 提供了一種令人信服的方式來繼續改進性能...
拋光液必須現場調配,立即使用。通過測量容積或液位實時確保各種成分的配比,實現現配現磨。先進的芯片制程采用非接觸式的稱重計量法來做配比,采用自動化的高精密...
在后道制程階段,晶圓(正面已布好電路的硅片)在后續劃片、壓焊和封裝之前需要進行背面減薄(backthinning)加工以降低封裝貼裝高度,減小芯片封裝體...
射頻前端(RFFE,RadioFrequency Front-End)模組國內外手機終端中廣泛應用。它將功率放大器(PA,Power Amplifier...
半導體集成電路是將許多元件集成到一個芯片中以處理和存儲各種功能的電子組件。由于半導體集成電路是通過在晶圓的薄基板上制造多個相同電路而產生的,因此晶圓是半...
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