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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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一、電源噪聲重要性 ??芯片內(nèi)部有成千上萬個晶體管,這些晶體管組成內(nèi)部的門電路、組合邏輯、寄存器、計數(shù)器、延遲線、狀態(tài)機、以及其他邏輯功能。隨著芯片的集...
晶體管和電子管區(qū)別? 晶體管和電子管是兩種用于電子設(shè)備中放大和控制電流的重要元件。盡管它們在實現(xiàn)相同功能方面存在共同點,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和性能方面...
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...
igbt與mos管的區(qū)別? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和MOS管(Metal-Oxide-Semic...
晶體和非晶體的區(qū)別? 晶體和非晶體是固體材料的兩種基本結(jié)構(gòu)形態(tài)。晶體由具有規(guī)則排列的原子、離子或分子組成,而非晶體則是由無規(guī)則排列的原子、離子或分子組成...
igbt的作用和功能? IGBT,即絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一種用于功率電子器件中的...
源極和漏極的區(qū)別? 源極和漏極是晶體管中的兩個重要極,它們在晶體管的工作過程中起著關(guān)鍵作用。源極與漏極之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面:電流流向、電位關(guān)...
為什么BJT比CMOS速度要快? BJT(雙極性晶體管)和CMOS(互補金屬氧化物半導體)是兩種常見的晶體管技術(shù),分別用于電子設(shè)備和集成電路中。在某些方...
CMOS集成電路的性能及特點? CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)是一種廣泛應(yīng)用的集成電路(IC...
該陪審員同意了普度的意見,即電動汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導體電場效果晶體管(mosfet)侵害了高電壓電源應(yīng)用(high powe...
2023-12-06 標簽:充電器晶體管電源應(yīng)用 1128 0
3nm工藝剛量產(chǎn),業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了,并且在調(diào)整相關(guān)的時間表。2nm工藝不僅對晶圓廠來說是一個重大挑戰(zhàn),同樣也考驗著EDA公司,以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計...
三星去年6月底開始量產(chǎn)第一代3納米GAA(SF3E)制程,這是三星首次采用全新的GAA架構(gòu)晶體管技術(shù)。第二代3納米制程3GAP(SF3)將采用第二代MB...
為了解決過熱問題,雷神公司正在尋求將實驗室制造的鉆石與軍用晶體管和電路結(jié)合起來,因為鉆石以極高的導熱性著稱。該公司正與美國海軍研究實驗室、斯坦福大學和美...
MOS的三個極怎么判定?是N溝道還是P溝道? MOS是金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef...
2023-11-30 標簽:晶體管MOS場效應(yīng)晶體管 2037 0
晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件之一,尤其是雙極結(jié)型晶體管(BJT),在眾多應(yīng)用中扮演著開關(guān)的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型...
功率半導體有多種類型,我們可以使用它們的應(yīng)用甚至更多。基本上,所有功率半導體器件都可以分為三類:二極管、晶閘管和晶體管。
IA- 64 架構(gòu)處理器(IA - 64 Processors )最早為安騰架構(gòu) (Itanium Architecture)處理器的縮寫,支持64 位...
有了RISC-V,很多人的目標就更嚴格了。如何優(yōu)化處理器內(nèi)核以執(zhí)行特定任務(wù)。通過適當?shù)姆治鏊剑麄兛梢詫⑵湔w指標(無論是面積、速度、功耗還是它們的組...
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