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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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深入解析NVIDIA Blackwell架構(gòu)及其實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)
盡管堅(jiān)持使用4nm級(jí)節(jié)點(diǎn),但NVIDIA已經(jīng)能夠?qū)⒏嗟木w管壓縮到單個(gè)芯片中。整個(gè)加速器的晶體管數(shù)量為 208B,即每個(gè)芯片 104B 晶體管。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)特性的高效能半導(dǎo)體器件。它特別適用于需要高...
MOSFET相對于晶體管三極管BJT的應(yīng)用優(yōu)勢有哪些?
場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,而雙極結(jié)型晶體管(晶體管三極管BJT)是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許...
2023-02-02 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管BJT 3877 0
中間的4個(gè)SRAM大組塊是系統(tǒng)緩存的一部分,這是SoC范圍的緩存層,位于內(nèi)存控制器和內(nèi)部系統(tǒng)互連以及區(qū)塊內(nèi)存子系統(tǒng)之間。蘋果將這個(gè)區(qū)塊用作節(jié)能功能:由于...
晶體管是一種常用的電子器件,用于放大和控制電信號(hào)。判斷晶體管的一種常見方法是根據(jù)管腳電位來識(shí)別晶體管的類型和狀態(tài)。本文將詳細(xì)介紹如何根據(jù)管腳電位來判斷晶...
甲類放大器,又稱為A類放大器,是功率放大器中的一種重要類型。它在信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)(即正弦波的正負(fù)兩個(gè)半周),放大器的任何功率輸出元件都不會(huì)出現(xiàn)電流截止(...
MOSFET是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 3868 0
檢查晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)偏置是否處于放大區(qū)域。通過測量和計(jì)算晶體管的集電極電壓(或源極電壓)和基極電壓之間的關(guān)系,可以確定其所處的工作區(qū)域。
電源設(shè)計(jì)之正向模式轉(zhuǎn)換器和反激模式轉(zhuǎn)換器
前向轉(zhuǎn)換器通過LC輸出濾波器的存在可以識(shí)別,它使用變壓器來升高或降低輸入電壓,并為負(fù)載提供與AC電源電壓的電流隔離。
2021-04-02 標(biāo)簽:變壓器轉(zhuǎn)換器PWM 3865 0
PMOS(P-type Metal-Oxide-Semiconductor)晶體管,即P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是電子電路中常用的關(guān)鍵元件之一。...
這是一個(gè)基于晶體管FCS9014的立體聲VU升壓電路圖,通常用于前置放大器和穩(wěn)壓電路和開關(guān)。通過簡單的電路設(shè)計(jì),可以輕松構(gòu)建該設(shè)備。
如何實(shí)現(xiàn)簡單的隔離偏置電源的設(shè)計(jì)?
電源設(shè)計(jì)小貼士34:如何設(shè)計(jì)簡單的隔離偏置電源
短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用,其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。
2024-04-17 標(biāo)簽:MOSFET變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3855 0
電子設(shè)備在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生一定的熱量,導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)部的溫度迅速上升。 如果不馬上釋放該熱量,設(shè)備的溫度就會(huì)持續(xù)上升,過熱會(huì)導(dǎo)致設(shè)備故障,從而降低電子設(shè)備的可靠...
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象...
2023-09-20 標(biāo)簽:電阻場效應(yīng)管晶體管 3850 0
萬用表是一種多功能電子測量儀器,主要用于測量電壓、電流、電阻等電學(xué)參數(shù),甚至有的萬用表還可以測量晶體管的主要參數(shù)以及電容器的電容量等。而測電筆主要用于檢...
模擬集成電路及其構(gòu)成 模擬集成電路設(shè)計(jì)過程
模擬集成電路主要指由電容、電阻、晶體管等元件組成的集成電路,用于處理模擬信號(hào)。常見的模擬集成電路包括運(yùn)算放大器、模擬乘法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬...
2023-09-20 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管模擬集成電路 3846 0
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱 FET)是一種三端半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管JFET 3844 0
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