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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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B類功放放大的工作方式是當無訊號輸入時,輸出晶體管不導電,所以不消耗功率。當有訊號時,每對輸出管各放大一半波形,彼此一開一關輪流工作完成一個全波放大,在...
使用虛擬實驗設計預測先進FinFET技術的工藝窗口和器件性能
負載效應 (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響,并且它會隨著 FinFET(鰭式場效應晶體管)器件工藝的持續微縮變得越來越重要[1-2]...
這個電路不管有沒有輸入信號,晶體管始終處于導通狀態,靜態電流比較大,困此集電極損耗較大,效率不高,大約只有 35 %。這種工作狀態被稱為甲類工作狀態。這...
表示熱傳導的難易程度。熱阻值越小,散熱性能越好。如果使用手冊上沒有注明熱阻值時,可根據額定功耗PT及Tch將其算出。
據估計,電子產品的故障有75%是由于瞬變和浪涌造成的。電壓的瞬變和浪涌無處不在,電網、雷擊、爆破,就連人在地毯上行走都會產生上萬伏的靜電感應電壓,這些都...
放大器是一種電子設備,用于增強輸入信號的幅度,它是唱片播放器或CD播放器等音頻源以及均衡器、前置放大器和揚聲器等其他設備的重要組成部分。放大器的子類別是...
AMD-Xilinx在20nm & 16nm節點Ultrascale系列器件使用FinFET工藝,FinFET與Planar相比在相同速度條件下...
純SiC晶體是通過Lely升華技術生長的。晶體主要是6H-SiC,但包括其它多型體。1978年,Tairov和Tsvetkov發明了一種可復制的SiC晶...
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
由于達林頓管的b、c間僅有一個PN結,所以b、c極間應為單向導電性,而be結上有兩個PN結,因此可以通過這些特性很快確認引腳功能。
T3Ster作為一款先進的半導體器件封裝熱特性測試儀器,能幫助用戶在數分鐘內獲取各類封裝的熱特性數據。
隔離電路采用光電耦合器,再經RC濾波電路送入PLC的CPU,可以防止外部干擾源和觸點抖動等情況。
太赫茲波能量大小則在電子和光子之間,與其他頻率的電磁波相比,其性能非常獨特。正是這些獨特的性能,使其在光譜分析、成像、6G通信、電子對抗等領域 具有廣闊...
數字萬用表測量晶體管直流放大倍數時,不用接表,轉動測量選擇開關值“hFE”檔位,將被測晶體管插入晶體管插孔,LCD顯示屏可顯示出被測晶體管的直流放大倍數。
零伏帶載是指電子負載可以在非常低的輸入電壓下,輸出額定滿電流,電流可高達上百安培。電子負載由于場效應晶體管的導通漏源極內阻,有一個不可避免的最小內部電阻...
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