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      工藝

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      2022-03-25 標簽：工藝測量 447 0

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      本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數量...

      2022-03-24 標簽：工藝參數光刻 1162 0

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      幾乎所有的直接晶圓鍵合都是在化學機械拋光的基板之間或在拋光基板頂部的薄膜之間進行的。在晶圓鍵合中引入化學機械拋光將使大量材料適用于直接晶圓鍵合，這些材料...

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      在半導體制造過程中的每個過程之前和之后執行的清潔過程是最重要的過程之一，約占總過程的30%，基于RCA清洗的濕式清洗工藝對于有效地沖洗清洗化學物質以使它...

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      2022-03-18 標簽：半導體晶圓工藝 1384 0

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      本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結果。

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      三種先進晶圓清潔工藝介紹

      為了滿足更嚴格的晶圓清潔度要求、新出現的環境問題和更嚴格的成本效益標準，晶圓清潔技術正慢慢遠離傳統的基于RCA的工藝。本文比較了在同一個濕式臺架上進行的...

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      國內種植體表面酸蝕工藝與設備的現狀

      為增加種植體與骨結合的效果，一般的種植體表面處理設計成粗糙的、螺紋狀的或者多孔的表面，其目的一是要增大其接觸面積及接觸形式，二是要形成有利于骨結合的表面成分。

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      預清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響

      實驗研究了預清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當的預清洗，表面污染會形成比未污染區域尺寸小的金字塔，導致晶片表面紋理特征不均勻...

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      在半導體微器件的制造中，必須通過蝕刻各種材料，從表面移除整個層或將抗蝕劑圖案轉移到下面的層中。在蝕刻工藝中可以分為兩種工藝：濕法和干法蝕刻，同時進一步分...

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      虹科推出支持最新標準的TSN交換機IP核

      IP核(IntellectualProperty core)是一段具有特定電路功能的硬件描述語言程序，常常被用于數字電路中。該程序與集成電路工藝無關，可...

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