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薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應力更小。
盡管存在從流變學角度描述旋涂工藝的理論，但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉速度曲線（圖 1-3）是設置旋轉速度以獲...
電子產品芯片的微型化正變得越來越受歡迎。但是微型化帶來了焊點可靠性問題。元件和基板使用錫膏進行焊接，但是由于體積太小使得焊點更容易受到應力影響而出現脫落...
集成電路(IC)的制造需要在半導體(例如，硅)襯底上執行的各種物理和化學過程。通常，用于制造 IC 的各種工藝分為三類：薄膜沉積、圖案化和半導體摻雜。導...
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學溶液將固體材料轉化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學物質可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數解決方案選擇性大...
壓印光刻是許多新興應用的關鍵技術，例如微光學、增強現實、MEMS和光電傳感器;但它是什么以及它是如何工作的?
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是...
雖然通過蝕刻的結構化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本章描述了獲...
薄晶片已經成為各種新型微電子產品的基本需求。這些產品包括用于RFID系統的功率器件、分立半導體、光電元件和集成電路。此外，向堆疊管芯組件的轉變、垂直系統...
本文報道了TSV過程的細節。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們華林科納研究...
本文展示了一種使用連續濕法化學表面活化(即SPM→RCAl清洗)結合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經過200 ℃的多步后退火，獲得了無空洞或微裂紋的牢固結...
本文報道了這種化學鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學鎳碰撞質量的影響，以幫助詳細了解...
基本化學成分以Cl2為基礎，外加用于側壁鈍化的N2。優化的ICP蝕刻工藝能夠產生具有光滑側壁的高縱橫比結構。使用670nm波長的激光進行原位反射監測，以...
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結構和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產率，該方法從圖案化氮化...
電子發燒友網報道(文/李寧遠)射頻連接器作為一種電連接器，設計用于在兆赫茲范圍內的無線電頻率下工作。射頻連接器作為電子連接器的細分類別，一直是連接器這個...
半導體裝置為了達成附加值高的系統LSI，需要高集成化，高速化，這其中新的布線材料，絕緣膜是不可缺少的。其中，具有低電阻的Cu，作為布線材料受到關注。化學...
本文介紹了新型的全化學晶片清洗技術，研究它們是否可以提供更低的水和化學消耗的能力，能否提供每種技術的工藝應用、清潔機制、工藝效益以及考慮因素、環境、安全...
半導體制造工業中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆粒或缺陷。擴散、光和化學氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、...
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經歷許多蝕刻過...
半導體的制造以硅晶圓為起點，經過形成前工序的晶體管的FEOL，插頭形成的MOL，以及連接晶體管作為電子電路發揮作用的布線工序的BEOL，形成器件芯片，在...
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