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標簽 > 封裝
封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產品的過程,簡單地說,就是把Foundry生產出來的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來,然后固定包裝成為一個整體。作為動詞,“封裝”強調的是安放、固定、密封、引線的過程和動作;
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CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護技術手冊
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CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊
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CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護數據手冊
這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術經過設計和優化,可在許多手持式和移動應用中最大限度地減少占用空間。該技術能夠取代...
CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護技術手冊
這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化,可在許多手持式和移動應用中最大限度地減少占用空間。該技術能夠取代標準...
CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換中的損耗 應用。 *附件:C...
Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現流片成功
我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標準封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現首次流片成功。這一...
CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換應用中的損耗。 *附件:CSD18...
CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護數據手冊
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷,并...
CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗,并針對 5V 柵極驅...
CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊
這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗。 *附件:CSD18511KCS 4...
Allegro Skill封裝功能之創建橢圓形flash介紹
“FLASH”即熱風焊盤(又稱花焊盤),用于連接引腳與負片層(如電源或地平面)。它既能確保可靠的電氣連接,又能有效減少焊接時的散熱,從而提升焊接質量。如...
Allegro Skill封裝功能之重命名pin-nunmber介紹
通過重命名Pin Number功能,可以快速、批量得更改和指定焊盤編號排列方向,極大地方便設計人員調整焊盤編號,從而降低設計錯誤的風險。例如,在處理BG...
INA191 采用WCSP封裝、具有使能引腳和皮安級IB的、40V、超精密電流檢測放大器技術手冊
INAx191 是一款低功耗、電壓輸出、電流分流監控器(也稱為電流檢測放大器),常用于過流保護和精密電流測量(用于實現系統優化),此外它還可用于閉環反饋...
AM625SIP 通用系統級封裝,采用 Arm? Cortex-A53? 和集成 LPDDR4數據手冊
AM625SIP 是 ALW 封裝的 AM6254 器件的系統級封裝 (SIP) 衍生產品,增加了集成的 LPDDR4 SDRAM。本文檔僅定義了 AM...
MSPM0L1227 32MHz Arm? Cortex-M0?+ MCU數據手冊
MSPM0Lx22x 微控制器 (MCU) 屬于基于 Arm Cortex-M0+ 32 位內核平臺的高度集成、超低功耗 32 位 MSPM0 MCU ...
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