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      標簽　>　導通電阻

      導通電阻

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      　　導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比，是二極管的重要參數。

      文章：151個 瀏覽：20176次 帖子：3個

      導通電阻資訊

      Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級，RDS(ON)和FOM達到業界出色水平，提高功率密度和效率

      節省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝，最大RDS（ON）導通電阻降至8.05 m，Qg為6.5 nC

      2020-11-04 標簽：MOSFETVishay導通電阻 1339 0

      東芝推出新款采用PWM控制的雙H橋直流有刷電機驅動IC，推薦應用為移動設備和家用電器

      東芝的新一代DMOS工藝讓TC78H660FNG能夠在最大額定值為18V／2.0A［1］時實現低至0.48Ω的導通電阻，較東芝的現有產品發熱更低。

      2020-10-22 標簽：東芝導通電阻驅動IC 1302 0

      Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導通電阻達到業內最低水平，提高系統功率密度且節省能源

      TrenchFETa器件典型RDS（ON）為 61 mΩ，優值系數為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

      2020-09-23 標簽：MOSFETVishay導通電阻 1479 0

      Vishay推出業內最低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

      日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。

      2020-08-17 標簽：MOSFETVishay導通電阻 1069 0

      IGSS對柵極驅動漏電流的影響

      dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。對系統來說，過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過該變化速率通過系統電路...

      2020-06-05 標簽：MOS管導通電阻 2.0萬 0

      Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)

      PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節省了超過36%的空間。

      2020-04-23 標簽：MOSFET導通電阻Nexperia 1050 0

      Vishay發布業內導通電阻最低的超小尺寸20V芯片級MOSFET

      MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V

      2015-06-19 標簽：Vishay封裝導通電阻 1286 0

      Vishay推出最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN

      日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在...

      2012-11-28 標簽：MOSFETVishay導通電阻 1705 0

      Vishay Siliconix采用P溝道TrenchFET Gen III技術的12V和30V MOSFET具有業界最低導通電阻

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? ...

      2012-10-09 標簽：MOSFETVishay導通電阻 1119 0

      Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導通電阻的最低記錄

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET--...

      2012-06-28 標簽：Vishay導通電阻功率MOSFET 1365 0

      MAX14634超低導通電阻和緊湊型雙向電池開關

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      MAX14634雙向電池開關功能的反向阻斷能力，從系統中隔離電池， 該設備是在一個超小型的12焊球(1.3毫米x1.7毫米，0.4mm間距)WLP封裝。

      2012-06-25 標簽：導通電阻MAX14634雙向電池開關 2154 0

      Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新業內導通電阻最低記錄

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---...

      2012-05-08 標簽：MOSFETVishay導通電阻 934 0

      最小導通電阻！瑞薩發售封裝為2mm見方的功率MOSFET

      瑞薩電子日前發售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產品“在封裝尺寸為2mm見方的產品中，實現了業界最高水平的低導通電阻”。

      2012-04-13 標簽：MOSFET瑞薩導通電阻 1586 0

      Vishay發布新款E系列MOSFET器件

      日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET-...

      2011-10-13 標簽：MOSFETVishay導通電阻 1469 0

      飛兆半導體推出低導通電阻MOSFET

      　　飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ ...

      2010-12-29 標簽：導通電阻MOSFE 1732 0

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      導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么? 傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI

      2010-03-23 標簽：電阻導通電阻導通 5526 0

      TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關

      TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m...

      2009-12-18 標簽：負載TI導通電阻 877 0

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        一般情況，IIoT往往有更結構化的連接環境，因為與典型的IoT應用相比，IIoT 系統履行的職責更事關重大。響應時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應用通常可以先在本地存儲數據，無線鏈路可用時再行處理。
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