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      標(biāo)簽　>　存儲芯片

      存儲芯片

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      文章：902個 瀏覽：44068次 帖子：39個

      存儲芯片資訊

      ASML光刻機(jī)巨頭訂單猛增，2024年展望謹(jǐn)慎

      ASML光刻機(jī)巨頭訂單猛增，2024年展望謹(jǐn)慎

      縱觀2023全年，ASML凈銷售額達(dá)到276億歐元，毛利率為51.3%，凈利潤為78億歐元。ASML預(yù)計(jì)2024年的凈銷售額將與2023年基本持平，預(yù)計(jì)...

      2024-01-26 標(biāo)簽：存儲芯片光刻機(jī)邏輯芯片 2075 0

      SK海力士實(shí)現(xiàn)一年來首次扭虧為盈

      SK海力士，全球知名的存儲芯片制造商，近日公布了其第四季度的財務(wù)報告。報告顯示，公司在這一季度實(shí)現(xiàn)了盈利，這是自2022年第四季度以來首次實(shí)現(xiàn)季度盈利。

      2024-01-25 標(biāo)簽：存儲芯片SK海力士 750 0

      DRAM漲價潮：廠商減產(chǎn)引發(fā)需求激增，持續(xù)尋求利潤改善

      報導(dǎo)指出，因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場過剩情況緩解，2023年11月DRAM批發(fā)價約2年半來首度呈現(xiàn)揚(yáng)升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利，今后將持續(xù)要求漲價。

      2024-01-25 標(biāo)簽：DRAM存儲芯片Nand flash 601 0

      存儲芯片市場升溫，DRAM價格連續(xù)兩個月上漲

      存儲模組大廠威剛發(fā)布2023年財報數(shù)據(jù)，2023年全年合并營收達(dá)337億新臺幣，同比下降3.9%。

      2024-01-25 標(biāo)簽：DRAM存儲芯片ASML 655 0

      中國加強(qiáng)從韓國引進(jìn)半導(dǎo)體材料及零部件

      韓國關(guān)稅署公布，2023年韓企向我輸出的空白光掩膜（半導(dǎo)體工藝關(guān)鍵原料）價值總額上漲至1.41億美元，增幅為47.69%，遠(yuǎn)超整體出口的年均漲幅（21%...

      2024-01-25 標(biāo)簽：存儲芯片檢測設(shè)備半導(dǎo)體工藝 1140 0

      CS 創(chuàng)世SD NAND FLASH 存儲芯片，比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲，TF卡替代方案

      CS 創(chuàng)世SD NAND FLASH 存儲芯片，比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲，TF卡替代方案

      文章目錄介紹創(chuàng)世SD卡引腳與NORFlash存儲比較介紹SDNANDFLASH（SecureDigitalNANDFlash）是一種安全數(shù)字NAND閃存...

      2024-01-24 標(biāo)簽：閃存存儲存儲芯片 1191 0

      AI推動存儲芯片需求，三星、SK海力士和美光稼動率全面調(diào)升

      市場觀點(diǎn)認(rèn)為，此次存儲芯片價格反彈，正是產(chǎn)業(yè)內(nèi)供需雙方良性互動的成果。當(dāng)市場經(jīng)歷過2022年的低谷之后，作為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)的三星電子、SK海力士等受到了一...

      2024-01-24 標(biāo)簽：人工智能存儲芯片SK海力士 1105 0

      談存儲芯片的演進(jìn)之路

      從NoC的角度來看，我覺得有趣的是，你必須優(yōu)化這些路徑，從處理器到NoC，通過控制器訪問內(nèi)存接口，可能通過UCIe將一個芯片傳遞給另一個芯片，然后芯片中有內(nèi)存。

      2024-01-24 標(biāo)簽：控制器內(nèi)存eda 695 0

      SK海力士回應(yīng)出售中國大連工廠傳聞：暫無此計(jì)劃

      針對美國媒體有關(guān)SK海力士準(zhǔn)備出售中國大連工廠的報道，該韓國存儲芯片巨頭做出了回應(yīng)，明確表示目前沒有計(jì)劃出售該工廠。

      2024-01-23 標(biāo)簽：芯片英特爾存儲芯片 2853 0

      三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進(jìn)“超級集群”計(jì)劃

      三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元，推進(jìn)“超級集群”計(jì)劃。

      2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子晶圓 881 0

      2024年DRAM投片量：一季度微增，下半年劇增

      DRAM稼動率緩步改善，業(yè)界認(rèn)為，整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升，較2023年第4季小幅提升約5%左右，下半年投片量回升速度將明顯加快。

      2024-01-23 標(biāo)簽：DRAM存儲芯片Nand flash 692 0

      存儲芯片價格有望在2024年第一季度上漲

      存儲芯片價格有望在2024年第一季度上漲

      TrendForce保持預(yù)設(shè)不變，認(rèn)為DRAM合約價季增幅大約為13%至18%；而NAND Flash合約價季增幅則在18%至23%之間。盡管業(yè)界對于第...

      2024-01-19 標(biāo)簽：DRAM供應(yīng)商存儲芯片 1251 0

      2023年中國集成電路產(chǎn)量增長6.9%，出口量下降1.8%

      據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局2024年1月17日發(fā)布的數(shù)據(jù)，2023年中國集成電路產(chǎn)量達(dá)到了3514億塊，相較于2022年的3242億塊有顯著提高。此項(xiàng)大數(shù)據(jù)囊括了各種...

      2024-01-18 標(biāo)簽：集成電路存儲芯片模擬芯片 2160 0

      韓國與三星、SK海力士聯(lián)手，622萬億韓元打造半導(dǎo)體巨型集群

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      2022年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到5996億美元。預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體市場將下降12.3%至525.9美元由于IT產(chǎn)品需求和存儲半導(dǎo)體價格暴跌，預(yù)計(jì)到2023...

      2024-01-17 標(biāo)簽：三星電子芯片制造存儲芯片 1276 0

      晶圓代工廠密集降價搶單，原因究竟為何？

      晶圓代工廠密集降價搶單，原因究竟為何？

      近期，由于旺季拉貨效應(yīng)未持續(xù)發(fā)酵、車用與工控芯片不再短缺、以及IDM廠自有新產(chǎn)能開出等利空沖擊，晶圓代工行業(yè)又面臨一波新的降價潮，行業(yè)內(nèi)廠商幾乎無一幸免。

      2024-01-17 標(biāo)簽：mcu半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)臺積電 1029 0

      和美精藝科創(chuàng)板IPO受理！主打存儲芯片封裝基板，募資8億建設(shè)生產(chǎn)基地等

      和美精藝科創(chuàng)板IPO受理！主打存儲芯片封裝基板，募資8億建設(shè)生產(chǎn)基地等

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）近日，深圳和美精藝半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱：和美精藝）科創(chuàng)板IPO成功獲上交所受理。 本次科創(chuàng)板IPO，和美精藝擬公...

      2024-01-16 標(biāo)簽：ipo存儲芯片封裝基板 3164 0

      三星加碼AI領(lǐng)域，擬與鴻海華邦深化合作

      值得關(guān)注的是，三星已不再從事 NOR flash、DDR3 等工藝成熟的存儲芯片加工，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向使用華邦生產(chǎn)的產(chǎn)品。近期，隨著 NOR flash 和 D...

      2024-01-15 標(biāo)簽：DDR3存儲芯片三星 1006 0

      三星電子轉(zhuǎn)型之路：應(yīng)對挑戰(zhàn)，聚焦超級差距技術(shù)

      三星電子現(xiàn)在的目標(biāo)是在新興的高密度存儲芯片領(lǐng)域趕上競爭對手，計(jì)劃到2024年將容量提高2.5倍。HBM是一種能夠更快地處理數(shù)據(jù)的先進(jìn)芯片，可與硬件配合使...

      2024-01-12 標(biāo)簽：DRAM三星電子人工智能 644 0

      日本DISCO晶圓設(shè)備推新：SiC切割設(shè)備面世

      值得一提的是，10多年前，DISCO就曾研發(fā)出能降低HBM高帶寬內(nèi)存制造成本的設(shè)備。隨著AI技術(shù)的發(fā)展，此類設(shè)備銷量大增。面對HBM的高昂成本，存儲芯片...

      2024-01-12 標(biāo)簽：存儲芯片DISCOai技術(shù) 1838 1

      2024 開年CES，存儲芯片/模組應(yīng)用新趨勢

      2024 開年CES，存儲芯片/模組應(yīng)用新趨勢

      （電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/黃晶晶）作為開年的消費(fèi)電子產(chǎn)品風(fēng)向標(biāo)，2024年CES展如期而至。在此次展會上，不少存儲廠商帶來了新產(chǎn)品，電子發(fā)燒友網(wǎng)整理部分廠...

      2024-01-12 標(biāo)簽：CES存儲芯片 2853 0

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        電池
        +關(guān)注
        電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間，能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動勢、容量、比能量和電阻。
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      • e絡(luò)盟
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      • 便攜醫(yī)療
        便攜醫(yī)療
        +關(guān)注
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