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存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器

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存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。

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存儲(chǔ)器資訊

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2021-01-07 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sram 1088 0

中國首次實(shí)現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲(chǔ)器

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團(tuán)隊(duì)李傳鋒、周宗權(quán)研究組在量子存儲(chǔ)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,首次實(shí)現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲(chǔ)器。

2021-01-06 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器量子存儲(chǔ)器 760 0

中科大首次實(shí)現(xiàn)了按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲(chǔ)器,創(chuàng)最高紀(jì)錄

來自中國科大的消息顯示,近日,中國科大郭光燦院士團(tuán)隊(duì)李傳鋒、周宗權(quán)研究組在量子存儲(chǔ)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,首次實(shí)現(xiàn)了按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)保真...

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如何在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的無線SoC中使用物理不可克隆功能

Silicon Labs通過PUF來創(chuàng)建密鑰加密密鑰(KEK),用于封裝(加密)系統(tǒng)中的其他密鑰,并將它們存儲(chǔ)在內(nèi)部或外部存儲(chǔ)器中。“因?yàn)檫@個(gè)KEK只用...

2021-01-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備PUF技術(shù) 2161 0

中科大首次研制出“按需式讀取”的可集成固態(tài)量子存儲(chǔ)器

中科大首次研制出“按需式讀取”的可集成固態(tài)量子存儲(chǔ)器

近日,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在該領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,團(tuán)隊(duì)中的李傳鋒、周宗權(quán)研究組首次研制出“按需式讀取”的可集成固態(tài)量子存儲(chǔ)器。 量子存儲(chǔ)器是構(gòu)建...

2021-01-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器量子 2028 0

2021年將是DDR5的DRAM競爭,手機(jī)存儲(chǔ)容量升級驅(qū)動(dòng)移動(dòng)存儲(chǔ)器需求

存儲(chǔ)器市場已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型,以智能型手機(jī)為中心的行動(dòng)時(shí)代(mobile era),逐步轉(zhuǎn)進(jìn)人工智能(AI)等的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時(shí)代。

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詳細(xì)介紹集各種存儲(chǔ)器優(yōu)異性能于一身的MRAM

MRAM即磁阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的簡稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā),全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號(hào)為MR2A16A,它采用44腳的TSOP封裝,...

2021-01-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sramMRAM 1502 0

韓國半導(dǎo)體反超日本,給中國帶來三點(diǎn)啟示

存儲(chǔ)器是全球最大的半導(dǎo)體細(xì)分市場,有著十分龐大的需求量。在這一領(lǐng)域,韓國企業(yè)占據(jù)壟斷地位,賺得盆滿缽滿。

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江波龍F(tuán)ORESEE ePOP:一款小身板、大能量的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品

對嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品來說,更輕薄的設(shè)計(jì)、更高的性能、更大的容量、更低的功耗,無疑都是未來的發(fā)展趨勢。在迎合市場趨勢方面,Longsys江波龍一向是做得比較好...

2020-12-29 標(biāo)簽:嵌入式存儲(chǔ)器 3378 0

半導(dǎo)體雙雄開啟美國建廠競賽

全球半導(dǎo)體代工前2大廠臺(tái)積電、三星加大在美國投資力道,《日本經(jīng)濟(jì)新聞》認(rèn)為背景是中美科技戰(zhàn),并指出臺(tái)積電態(tài)度比較堅(jiān)定,三星是中美雙押,但對于半導(dǎo)體雙雄而...

2020-12-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三星電子存儲(chǔ)器 1878 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中只讀存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)應(yīng)用

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的只讀存儲(chǔ)器(Read Only Memory,ROM),是一種存儲(chǔ)固定信息的存儲(chǔ)器,在正常工作狀態(tài)下只能讀取數(shù)據(jù),不能即時(shí)修改或重新...

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提升效率的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型

神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可以被歸類為一組大致模仿人腦建模方式的算法,能夠通過引入新數(shù)據(jù)來完成“學(xué)習(xí)”過程。因此,開發(fā)專用的“計(jì)算高效型”神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型,會(huì)為機(jī)器學(xué)習(xí)帶來諸...

2020-12-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 1506 0

消息稱美光或開發(fā)EUV應(yīng)用技術(shù)

根據(jù)韓國媒體《Etnews》報(bào)導(dǎo)指出,目前全球3大DRAM存儲(chǔ)器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機(jī)的美商美光(Micron),因日前招聘網(wǎng)站開始征求E...

2020-12-25 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器EUV 1768 0

哈佛結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)_改進(jìn)型哈佛結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

哈佛結(jié)構(gòu)有兩個(gè)明顯的特點(diǎn):使用兩個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器模塊,分別存儲(chǔ)指令和數(shù)據(jù),每個(gè)存儲(chǔ)模塊都不允許指令和數(shù)據(jù)并存;使用獨(dú)立的兩條總線,分別作為CPU與每個(gè)存儲(chǔ)...

2020-12-24 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器哈佛結(jié)構(gòu) 1.6萬 0

現(xiàn)場設(shè)備系統(tǒng)如何避免損壞或丟數(shù)據(jù)

記錄數(shù)據(jù)的可靠性,通常只考慮到突然掉電、寫入不完全等,往往忽略了存儲(chǔ)器件的使用壽命。存儲(chǔ)器件的擦除次數(shù)壽命是行業(yè)公認(rèn)的客觀事實(shí),工程師只能盡量的符合器件...

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一文了解存儲(chǔ)器DDR的發(fā)展史

存儲(chǔ)器的主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù),并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動(dòng)地完成程序或數(shù)據(jù)的存取。本次給大家介紹存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。一、ROM和RAM的概念理...

2020-12-24 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì) 2620 0

FRAM能夠?qū)⒖蓤?zhí)行代碼和數(shù)據(jù)組合在一個(gè)單存儲(chǔ)器中

通常將采用存儲(chǔ)器技術(shù)的應(yīng)用分為可執(zhí)行代碼和數(shù)據(jù)任務(wù)。可執(zhí)行代碼要求使用非易失性存儲(chǔ)器,并在所有條件下都能夠保留存儲(chǔ)器中的代碼。數(shù)據(jù)任務(wù)則要求能夠?qū)Υ鎯?chǔ)器...

2021-01-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器單芯片 543 0

NV-SRAM將成為寫日記應(yīng)用程序的理想非易失性存儲(chǔ)解決方案

RAID存儲(chǔ)系統(tǒng)概述 RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson,Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期...

2020-12-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sram 618 0

全球智能電視出貨量滲透率高達(dá)70%,市場規(guī)模接近1600億美元

近年來,全球智能電視行業(yè)發(fā)展迅速,2019年全球智能電視出貨量滲透率達(dá)到了70%,市場規(guī)模突破1500億美元。雖然智能電視家庭滲透率不斷攀升,但是仍處于...

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NV-SRAM與BBSRAM的對比,誰的優(yōu)勢更加明顯

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)技術(shù)相比較。 BBS...

2020-12-22 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sram 1023 0

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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