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基本半導體

基本半導體

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深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業領軍企業,專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發中心。

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基本半導體資訊

基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC可pin to pin替換科銳C4D30120D

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碳化硅肖特基二極管是用碳化硅為原料的二極管。該材料是屬于第三代寬禁帶半導體材料,材料本身的性能就優于硅材料。該類二極管由于反向恢復時間短,可提高系統效率...

2022-08-16 標簽:二極管基本半導體 1322 0

基本半導體獲多家車企和電機控制器Tier1客戶的定點

近日,深圳基本半導體有限公司獲得合肥巨一動力系統有限公司的碳化硅電驅動項目開發定點。該項目將采用基本半導體汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcor...

2022-09-14 標簽:半導體電機控制器基本半導體 1303 0

國芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW車載OBC上的應用,可替代C2M0080120D

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車載OBC又稱車載交流充電機,安裝于電動汽車上,通過插座和電纜與交流插座連接,以三相或者單相交流電源向汽車提供電源;車載OBC的優點是不管車載電池在任何...

2022-11-17 標簽:基本半導體 1300 0

國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D

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SiC肖特基二極管具有零反向恢復電流和零正向恢復電壓,散熱要求低,是高頻和高效率應用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主,但由于各...

2022-11-25 標簽:基本半導體 1293 0

中歐“大咖”齊聚深圳,共話第三代半導體發展

第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。

2019-09-23 標簽:半導體青銅劍科技基本半導體 1275 0

基本半導體碳化硅MOSFET通過車規級認證,為汽車電子注入新動力

近日,中國半導體行業的佼佼者——基本半導體公司,再次在科技領域邁出堅實步伐。該公司自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120...

2024-06-26 標簽:MOSFET碳化硅基本半導體 1269 0

基本半導體榮獲中國電源學會科學技術獎

11月4-7日,2022中國電力電子與能量轉換大會暨中國電源學會第二十五屆學術年會及展覽會在廈門成功召開。在同期舉行的第八屆中國電源學會科學技術獎頒獎儀...

2022-11-09 標簽:DTS功率器件碳化硅 1267 0

基本半導體應用于高壓快充的E2B碳化硅功率模塊方案解析

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充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率,減少50%的損耗。目前在充電樁領域,碳化硅應用處于快速增長階段,預計到2025年將提升至35%,市場規模...

2024-07-04 標簽:功率模塊碳化硅基本半導體 1249 0

基本半導體獲博世戰略投資

博世集團是全球領先的技術和服務供應商,業務涵蓋汽車與智能交通技術、工業技術、消費品以及能源與建筑技術領域。

2021-03-05 標簽:智能交通碳化硅博世 1236 0

國芯思辰|基本半導體雙通道隔離柵極驅動器BTD21520替換UCC21320-Q1用于UPS電源,驅動峰值電流4.5/6A

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國芯思辰接觸的某工程師在做一款50KVA高頻在線式UPS設計,需要在控制器的驅動信號與功率開關管之間做隔離,這里提一下國產基本半導體的雙通道隔離柵極驅動...

2022-09-20 標簽:德州儀器UPS電源柵極驅動器 1225 0

基本半導體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

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? 6月13-15日,SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會在國家會展中心(上海)隆重舉辦。本屆展會匯聚了超過3500家全球光...

2024-06-15 標簽:MOSFET光伏功率器件 1200 0

國芯思辰|基本半導體單通道隔離柵極驅動器BTD3011(替代SI8273DB-IS1R)用于10KW光伏逆變器

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光伏逆變器是整個光伏發電體系的系統中最重要的一個部分,逆變器的效率決定著光伏發電的效率,所以需要實現高可靠性是一個逆變器的重要指標。本文講述采用基本半導...

2022-09-08 標簽:光伏逆變器基本半導體國芯思辰 1164 0

深圳基本半導體公司成功研發溝槽型碳化硅MOSFET器件結構及制備技術

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具體來說,該結構由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部,從外部向內...

2024-04-19 標簽:MOSFET碳化硅基本半導體 1130 0

國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位,反向電壓1200V

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在許多工業設備中通常都會采用IGBT來作為主功率器件,能夠有效的減少開關損耗,提高逆變器的效率,因此為了保護IGBT能夠正常穩定的工作,設計師們會給IG...

2022-10-12 標簽:基本半導體 1117 0

國芯思辰|耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ

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隨著新能源汽車的普及,充電樁也成了日常配套的生活設施。目前市面上充電樁電源模塊的轉換效率已經可以做到99%,對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這...

2022-12-05 標簽:基本半導體國產替代國芯思辰 1106 0

國芯思辰|基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機驅動功率損耗,導通延遲20ns

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據評估,世界上超過一半的電能消耗用于各種電動機。因此,降低電動機的功率損耗并提高電力轉換的效率顯得尤為重要。電動機驅動電路一般原理圖本文主要講到基本半導...

2022-09-30 標簽:電動機基本半導體國產替代 1093 0

基本半導體完成數億元B輪融資,打造行業領先的碳化硅IDM企業

全系碳化硅分立器件、模塊產品分別依據AEC-Q101、AQG-324標準進行可靠性測試,產品從設計到驗證遵循汽車行業標準,打造車規級質量水平。

2021-01-06 標簽:功率器件碳化硅晶圓制造 1086 0

基本半導體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規級認證

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近日,基本半導體自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規級可靠性認證,產品性能和可靠性滿足汽車...

2024-09-13 標簽:MOSFET汽車電子碳化硅 1082 0

國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D06065E在主體為BOOST電路的PFC電路應用方案

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計算機開關電源是一種電容輸入型電路,其電流和電壓之間的相位差會造成交換功率的損失,此時便需要PFC電路提高功率因數。目前的PFC有兩種,一種為被動式PF...

2022-11-07 標簽:PFC電路基本半導體 1052 0

基本半導體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領先技術

近日,第38屆日本國際電子科技博覽會(NEPCON JAPAN)在東京有明國際展覽中心(TOKYO BIG SIGHT)盛大舉行。此次盛會,作為亞洲電子...

2024-03-04 標簽:功率器件碳化硅基本半導體 1042 0

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