碳化硅肖特基二極管是用碳化硅為原料的二極管。該材料是屬于第三代寬禁帶半導體材料,材料本身的性能就優(yōu)于硅材料。該類二極管由于反向恢復時間短,可提高系統(tǒng)效率,因此市面上的應用非常廣泛。
本文重點提到基本半導體的碳化硅肖特基二極管B1D30120HC,該器件不僅可pin-pin替代市面上WOLFSPEED(原科銳)的C4D30120D,而且性能更優(yōu),其典型參數(shù)對比如下表所示:

從上表可知基本半導體的碳化硅肖特基二極管B1D30120HC與WOLFSPEED(原科銳)的C4D30120D相比:
1、B1D30120HC的正向重復峰值電流為30A,正向不重復電流為135A,抗浪涌能力更強;
2、B1D30120HC的耗散功率為286W,系統(tǒng)發(fā)熱更小;
3、封裝都為TO-247-3L,管腳定義一致,可以進行pin to pin替換;
4、B1D30120HC為國產(chǎn)MOS,更有優(yōu)勢,交期有保證;
5、除了能替換C4D30120D,B1D30120HC還可替代羅姆的SCS230KE2、英飛凌的IDW30G120C5B以及意法半導體的STPSC30H12CWL。
注:如涉及作品版權問題,請聯(lián)系刪除。
-
二極管
+關注
關注
148文章
10038瀏覽量
170243 -
基本半導體
+關注
關注
2文章
81瀏覽量
10609
發(fā)布評論請先 登錄
開啟焊機高效時代:國內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象
SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書

為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管

PIN二極管的基本用途和應用場景
PIN二極管的電導調(diào)制原理

評論