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標簽 > 場效應管
場效應管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,并以此命名。
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場效應管制作觸摸開關 1 材料:一個260Ω電阻、LED貼片燈、DG2N60場效應管。 2 工具:電烙鐵、熱熔膠槍、鑷子。 ...
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)控制電流大小的原理主要基于其獨特的電壓控制特性。FET是一種電壓控制型半導體器件,...
場效應管是由多子參與導電;三極管有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。...
逆變器中的關鍵組件是功率半導體器件,通常采用功率晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)或金屬氧化物半導體...
NMOS場效應管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時候,R1、R...
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安...
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱BJT...
寄生二極管和普通二極管一樣,正接會導通,反接截止,對于NMOS,當S極接正,D極接負,寄生二極管會導通,反之截止;對于PMOS管,當D極接正,S極接負,...
電力場效應管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場效應管(MOSFET),在電力...
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