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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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如何判斷場(chǎng)效應(yīng)管工作在什么區(qū)
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過(guò)改變柵極電壓...
2024-07-14 標(biāo)簽:電流場(chǎng)效應(yīng)管電子電路 3982 0
什么是IGBT?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝
IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡(jiǎn)稱(chēng),中文稱(chēng)作絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT (雙極型三極管) 和MOS ...
2023-12-12 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 3873 0
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強(qiáng)型和耗盡型兩類(lèi)又有N溝道和P溝道之分。
2023-03-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3844 0
MOSFET相對(duì)于晶體管三極管BJT的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)有哪些?
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,而雙極結(jié)型晶體管(晶體管三極管BJT)是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許...
2023-02-02 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管BJT 3829 0
MOSFET是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3828 0
PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝制程技術(shù)是最早出現(xiàn)的MOS...
2024-07-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管PMOS 3828 0
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理和種類(lèi)
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng) FET)是一種三端半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 3787 0
晶體管是一種三層器件,由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)構(gòu)成。PN結(jié)是由不同材料的半導(dǎo)體單元(P型材料和N型材料)焊接在一起形成的一個(gè)結(jié),它有兩個(gè)區(qū)域,一個(gè)是P區(qū),一個(gè)是N...
2023-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 3772 0
自舉電路也叫升壓電路,是利用自舉升壓二極管,自舉升壓電容等電子元件,使電容放電電壓和電源電壓疊加,從而使電壓升高,有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
2023-06-01 標(biāo)簽:二極管升壓電路場(chǎng)效應(yīng)管 3732 0
三極管和場(chǎng)效應(yīng)管是什么?有哪些區(qū)別?
三極管,全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3726 0
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通條件
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)P-FET)的導(dǎo)通條件是其能夠正常工作的關(guān)鍵要素。以下是關(guān)于P溝...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 3712 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象...
2023-09-20 標(biāo)簽:電阻場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 3709 0
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管工頻100W逆變電源,100W power inverter
本裝置電路簡(jiǎn)單,易于調(diào)試,性能可靠,逆變和充電自動(dòng)轉(zhuǎn)換,帶電瓶電量指示。由于使用了大功率VMOS管,故效率高而成本又較低,適合電子愛(ài)好者組裝。
2019-02-09 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3698 0
NOR FLASH和NAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)介紹
非易失性存儲(chǔ)元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前兩者已經(jīng)基本被淘汰了,因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管EPROMNand flash 3693 1
什么是場(chǎng)效應(yīng)管 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)
場(chǎng)效應(yīng)管,即場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)FET),是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
2024-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管JFETFET 3688 0
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種常用的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路中。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過(guò)改變柵...
2024-07-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電壓數(shù)字電路 3649 0
場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
2023-03-25 標(biāo)簽:放大器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3636 0
使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),這些注意事項(xiàng)要記住了
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)...
2022-11-03 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 3598 0
場(chǎng)效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開(kāi)發(fā)出來(lái)的。三極管通過(guò)電流的大小控制輸出,輸入要消耗功率。場(chǎng)效應(yīng)管是通過(guò)輸入電壓控制輸出,不消耗功率。就其性能而言,場(chǎng)效應(yīng)管...
2023-04-17 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3584 0
逆變器,別稱(chēng)為變流器、反流器,是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件,由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成,主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開(kāi)關(guān)管...
2023-02-10 標(biāo)簽:變壓器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3578 0
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