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標簽 > 單晶
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外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造,...
使用物理氣相傳輸法(PVT)制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶,并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準 8 英寸 SiC 單...
單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料為單晶NCM正極構建穩定結構和界面
單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料因其高放電容量和良好的電化學性能而受到廣泛關注,然而,單晶材料在高壓下循環會發生嚴重的晶格畸變和電極/...
近年來全球硅晶圓供給不足,導致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達2019上半年和年底。目前國內多個硅晶圓項目已經開始籌備,期望有朝一日能夠打破進口...
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統加工方式已經不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術,本文綜述了碳化硅單晶切...
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實現低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經過幾十年的不...
在2.8?4.6 V電壓窗口中,PC-NCM811 在循環過程中表現出嚴重的容量衰減,在電流密度為0.5 C時,100和200次循環后的容量保持率分別僅...
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