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單晶

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單晶技術(shù)

Nature：量子材料新進(jìn)展！

有鑒于此，麻省理工學(xué)院JosephG.Checkelsky和RiccardoComin等人報(bào)告了對(duì)C15 Laves相 CaNi2的塊狀單晶的研究，它包...

2023-11-22 標(biāo)簽：單晶量子光譜 838 0

LL-SAW器件的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

工作簡(jiǎn)介 ????上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組基于自主研制的高單晶質(zhì)量6英寸LiNbO3/SiC壓電異質(zhì)晶圓，開發(fā)了國(guó)際上首款基于單晶壓電薄膜異質(zhì)集...

2023-08-28 標(biāo)簽：濾波器帶寬單晶 2166 0

單晶金剛石中的低損耗毫米波導(dǎo)和光柵耦合器

2023-08-21 標(biāo)簽：光柵單晶耦合器 779 0

GaN外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過(guò)幾十年的不...

2023-06-10 標(biāo)簽：薄膜晶體單晶 1683 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進(jìn)展

近期，美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器晶體管 1370 0

SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡(jiǎn)稱SiC襯底）也是晶體材...

2023-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻單晶 3192 0

半導(dǎo)體制造之外延工藝詳解

外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來(lái)講，外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，...

2023-02-13 標(biāo)簽：集成電路工藝晶體管 1.6萬(wàn) 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

摘要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切...

2023-01-11 標(biāo)簽：單晶襯底加工技術(shù) 2117 0

8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備與表征

使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過(guò)多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸 SiC 單...

2022-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶 SiC 3149 0

單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料為單晶NCM正極構(gòu)建穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和界面

單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料因其高放電容量和良好的電化學(xué)性能而受到廣泛關(guān)注，然而，單晶材料在高壓下循環(huán)會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的晶格畸變和電極/...

2022-09-14 標(biāo)簽：電化學(xué)單晶電容量 2814 0

單晶高鎳正極高壓穩(wěn)定性的起源

在2.8?4.6 V電壓窗口中，PC-NCM811 在循環(huán)過(guò)程中表現(xiàn)出嚴(yán)重的容量衰減，在電流密度為0.5 C時(shí)，100和200次循環(huán)后的容量保持率分別僅...

2022-08-17 標(biāo)簽：鋰離子電池電化學(xué)單晶 1343 0

詳解單晶的制作方法

半導(dǎo)體制造中需要的單晶（單晶）是原子的規(guī)則排列。有多晶（許多小的單晶）和非晶硅（無(wú)序結(jié)構(gòu)）。根據(jù)晶格的取向，硅片具有不同的表面結(jié)構(gòu)，從而影響電荷載流子遷...

2022-07-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶晶圓制造 4035 0

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

引言氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強(qiáng)度內(nèi)聚能1.89...

2022-01-12 標(biāo)簽：晶圓單晶蝕刻 1275 0

如何制造單晶的晶圓

近年來(lái)全球硅晶圓供給不足，導(dǎo)致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達(dá)2019上半年和年底。目前國(guó)內(nèi)多個(gè)硅晶圓項(xiàng)目已經(jīng)開始籌備，期望有朝一日能夠打破進(jìn)口...

2019-10-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓單晶 2438 0

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加速度傳感器

加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過(guò)一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
TOF

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角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過(guò)1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
L298

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DMD

DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過(guò)光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
MC9S12XS128

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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
TDC-GP2

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干擾器

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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
重力傳感器

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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來(lái)驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
線束

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半導(dǎo)體工藝

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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說(shuō)話人識(shí)別，包括說(shuō)話人辨認(rèn)和說(shuō)話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
零序

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直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來(lái)直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
制冷片

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VCM

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