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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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2024年,為提升國內(nèi)芯片企業(yè)在全球范圍的影響力,促進(jìn)和記錄國內(nèi)芯片的技術(shù)、市場應(yīng)用進(jìn)程,特別策劃射頻芯片產(chǎn)品領(lǐng)域進(jìn)行調(diào)研。1移動(dòng)智能終端設(shè)備領(lǐng)域移動(dòng)智...
在半導(dǎo)體行業(yè)中,“die”,“device”,和“chip”這三個(gè)術(shù)語都可以用來指代芯片。
雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象,特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超...
雙脈沖測試(Double Pulse Test, DPT)是一種測試方法,常用于評(píng)估和分析電力系統(tǒng)、電子設(shè)備、組件以及半導(dǎo)體器件的電氣特性。這種測試通過...
肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管,而非傳統(tǒng)的PN結(jié)。這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了SBD獨(dú)特的電氣特性,使其在高頻和高效率的電子電路中...
俗話說“差之毫厘,謬以千里”,在當(dāng)下精密工業(yè)領(lǐng)域,儀表測量的精確性直接影響生產(chǎn)過程中的自動(dòng)化控制水平及設(shè)備工作的安全可靠性。電壓,作為電力系統(tǒng)中的基本參...
如何用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀進(jìn)行斜坡法準(zhǔn)靜態(tài)C-V測量?
電容電壓(C-V)測量通常采用交流測量技術(shù)。而一些電容測量需要直流測量技術(shù),被稱為準(zhǔn)靜態(tài)C-V(或QSCV)測量,因?yàn)樗鼈兪窃诜浅5偷臏y試頻率下進(jìn)行的,...
NTC是Negative Temperature Coefficient 的縮寫,意思是負(fù)的溫度系數(shù),泛指負(fù)溫度系數(shù)很大的半導(dǎo)體材料或元器件,通常我們提...
隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...
光電三極管的工作原理 光電三極管的典型應(yīng)用電路分享
光電三極管是一種**晶體管,它有三個(gè)電極,其中基極未引出。當(dāng)光照強(qiáng)弱變化時(shí),電極之間的電阻會(huì)隨之變化。
為什么CIPOS? Mini更偏向于使用IGBT芯片,而非Si MOSFET?
英飛凌作為電力電子領(lǐng)域創(chuàng)新解決方案的領(lǐng)先企業(yè),其取得的一大顯著成就是,開發(fā)了用于集成功率模塊(IPM)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場...
什么是具有節(jié)能效果的逆變器?為什么必須要使逆變器更加節(jié)能?
隨著向無碳社會(huì)的推進(jìn)以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢?,?duì)不斷提高能源利用效率并改進(jìn)逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。
2024-02-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換工逆變器 1466 0
隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有...
發(fā)光二極管LED的光效 發(fā)光二極管LED的類型
可見光LED主要用于開關(guān)、光學(xué)顯示和照明,不使用任何光傳感器。隱形LED的應(yīng)用包括使用光傳感器的光學(xué)開關(guān)、分析和光通信等。
TaC涂層石墨件的應(yīng)用與研發(fā)難點(diǎn)都有哪些呢?
以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換和微波信號(hào)傳輸能力,能滿足高頻、高溫、大功率和抗輻射電子器件的需求。
2024-02-20 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換 4914 0
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