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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過(guò)程的影響(2)
為驗(yàn)證對(duì)主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動(dòng)情況下的實(shí)際情況,我們?nèi)藶閷?duì)Lp 大小進(jìn)行了干預(yù),其具體方法是在D 的陰極與電路PCB 之間...
伯納爾雙層石墨烯(BLG)在低磁場(chǎng)或零磁場(chǎng)的巨大潛力
【DT半導(dǎo)體】獲悉,本征的谷自由度使得雙層石墨烯(BLG)成為半導(dǎo)體量子比特的獨(dú)特平臺(tái)。單載流子量子點(diǎn)(QD)基態(tài)表現(xiàn)出雙重簡(jiǎn)并性,其中構(gòu)成克萊默對(duì)的兩...
硅集成電路技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
硅作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無(wú)可爭(zhēng)議,然而,隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小,硅集成電路技術(shù)正面臨著一系列挑戰(zhàn),本文分述如下:1.硅...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)晶圓減薄技術(shù)
在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形,并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚...
濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù),其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代,但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)...
與客戶進(jìn)行詳細(xì)溝通,了解半導(dǎo)體設(shè)備的基本信息,包括設(shè)備類型(如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等)、設(shè)備尺寸(長(zhǎng)、寬、高)、設(shè)備重量(包括滿載和空載狀態(tài))、...
深視智能SCI系列光譜共焦位移傳感器對(duì)射測(cè)量半導(dǎo)體晶圓厚度
01項(xiàng)目背景晶圓作為半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)載體,其厚度的精確控制直接影響到芯片的性能、可靠性和最終產(chǎn)品的成品率。通過(guò)準(zhǔn)確的晶圓厚度測(cè)量,可以確保芯片在制造過(guò)程...
由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn),要制作全磊晶結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)波長(zhǎng)面射型雷射難度較高,因此在1990年中期開始許多光通訊大廠及研究機(jī)構(gòu)均投入大量資...
對(duì)于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說(shuō)起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
在這種情況下,線圈采用Y形接法,使用半導(dǎo)體元件為線圈供給電流,根據(jù)旋轉(zhuǎn)的磁體位置來(lái)控制電流的流入和流出。在該示例中,使用霍爾元件來(lái)檢測(cè)磁體的位置。霍...
Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀 CVD 清洗終點(diǎn)優(yōu)化
上海伯東日本 Atonarp Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀, 基于四級(jí)桿的質(zhì)量分離, Aston 質(zhì)譜分析儀設(shè)計(jì)緊湊, 適用于氣體分析和...
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步,尤其是摩爾定律的放緩,芯片設(shè)計(jì)和制造商們逐漸轉(zhuǎn)向了更為靈活的解決方案,其中“Chiplet”和“先進(jìn)封裝”成為了熱門的概念。
TPS7A33 帶使能功能的 1A、高 PSRR、負(fù)、可調(diào)低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7A33 系列線性穩(wěn)壓器為負(fù)電壓 (–36V)、超低噪聲 (16μV) ~RMS~ ,72dB PSRR)線性穩(wěn)壓器能夠 提供最大負(fù)載 1 A。 ...
2025-03-05 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體線性穩(wěn)壓器 473 0
在半導(dǎo)體行業(yè)中,前期的生產(chǎn)以及后期的包裝上面,對(duì)于設(shè)備防震基座的需求是很大的,因?yàn)樯a(chǎn)的過(guò)程中產(chǎn)生的噪音該如何處理,所以選擇減震器是非常的關(guān)鍵的一步,那...
鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來(lái),為提升...
本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...
FeRAM 是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有高速寫入、高重寫耐久性和低功耗的特點(diǎn)。利用這些特點(diǎn),F(xiàn)eRAM 被廣泛應(yīng)用于需要高頻率記錄設(shè)備本身及其周圍環(huán)境狀態(tài)...
2024-11-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器旋轉(zhuǎn)編碼器 465 0
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