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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道場效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-...
晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在。基于半導(dǎo)體的晶體管的發(fā)明,取代了用于電氣開關(guān)的真空管,使人類在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。
本文以半導(dǎo)體封裝技術(shù)為研究對象,在論述半導(dǎo)體封裝技術(shù)及其重要作用的基礎(chǔ)上,探究了現(xiàn)階段半導(dǎo)體封裝技術(shù)的芯片保護、電氣功能實現(xiàn)、通用性、封裝界面標(biāo)準(zhǔn)化、散...
半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備(一)
在接下來的一個章節(jié)里面,我們將主要介紹用砂子制備半導(dǎo)體級硅的方法,以及后續(xù)如何將其轉(zhuǎn)化為晶體和晶圓片(材料制備階段),以及如何來生產(chǎn)拋光晶圓的過程(晶體...
寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢,以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗,開關(guān)損耗會被...
2023-09-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC電子開關(guān) 1091 0
可靠性和穩(wěn)定性是保障半導(dǎo)體產(chǎn)品順暢運行的關(guān)鍵因素。半導(dǎo)體器件的封裝必須注意避免受到物理、化學(xué)和熱損傷。因此,封裝材料必須具備一定的質(zhì)量要求。隨著業(yè)界對半...
測試和校準(zhǔn)DS2760鋰離子電池監(jiān)測和保護器電路
本應(yīng)用筆記向讀者介紹如何正確測試包含達拉斯半導(dǎo)體DS2760電池監(jiān)測器和保護器的電路板和電池組。提供了分步測試程序,可以遵循該程序以確保電路板和電池組已...
2023-03-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體電池 1088 0
干貨分享|高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管:高性能、高效率、高可靠性(上)
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管,共將分為(上)(下)兩期,包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...
第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...
實現(xiàn)高擊穿電壓和低待機電流離線輔助PSU電源裝置
如今,對能源效率的需求影響著自動化的所有領(lǐng)域。這包括各種白家電,它們是在家庭自動化概念與如今完全不同的時代構(gòu)想出來的。幾十年前,當(dāng)我們開始依賴這些設(shè)備時...
在IC驗證的產(chǎn)品級工程中使用機器學(xué)習(xí)ML方法
由于半導(dǎo)體設(shè)計的復(fù)雜性、規(guī)模和任務(wù)關(guān)鍵型操作的增加,集成電路驗證要求也隨之大幅擴展。
2023-02-28 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體機器學(xué)習(xí) 1082 0
傳感器性能如何實現(xiàn)基于狀態(tài)的監(jiān)測解決方案
不平衡系統(tǒng)會產(chǎn)生過度振動,這些振動以機械方式耦合到系統(tǒng)內(nèi)的其他組件,例如軸承、聯(lián)軸器和負(fù)載,從而可能加速處于良好運行狀態(tài)的組件的劣化。
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件...
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