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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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電子元器件基礎知識——半導體器件,揭示各國半導體器件命名方法
第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PN...
新的IC設計和驗證解決方案結合了人工智能技術與云服務的可擴展性優勢,旨在解決產品的復雜性,加快產品上市速度 西門子數字化工業軟件日前推出新的Solido...
EUV掩膜,也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜,對于極紫外光刻(EUVL)這種先進光刻技術至關重要。EUV光刻是一種先進技術,用于制造具有更小特征尺寸和增...
7月18日,江蘇北人在投資者互動平臺表示,開展儲能業務是公司的重要戰略布局,公司采取“產品設計—產線研發—供應鏈—規模化制造—資產持有—資產運營”一體化...
來源:半導體芯科技編譯 縮小半導體尺寸的需求,加上器件熱點處產生的熱量無法有效分散的問題,對現代器件的可靠性和耐用性產生了負面影響。現有的熱管理技術無法...
國家統計局:上半年半導體器件專用設備制造業同比增長30.9%
二是產業升級穩步推進。工業生產技術密集程度持續提高,上半年裝備制造業增加值同比增長6.5%,比規模以上工業的增長率高2.7個百分點,對全部規模以上工業的...
NASA發布了使用其超大超強太空望遠鏡以空前分辨率和靈敏度觀測宇宙時拍攝的首批圖像。
JEDEC 制定的 JEP 95 《 JEDEC 注冊外形圖》標淮與 IEC SC47D 發布的標淮異曲同工,只不過其外形標淮是由其會員公司提出的。
國際上對封裝外形標淮化工作開展得較早,一般采用標淮增補單或外死注冊形式。 IEC SC47D 發布的 IEC 60191-2《半導體器件封裝標準 第2部...
貼片3904三極管_MMBT3904 絲印1AM三極管主要參數資料
3904三極管作為一種常見的低電壓、低電流信號晶體三極管,是半導體基本元器件之一。MMBT3904 SOT-23封裝型號的應用范圍很廣,人們家庭中的小家...
極小的物體被放大幾千倍,各種物質的豐富細節徐徐展開,人類觀察自然界的視野得到極大拓寬——這是光學顯微鏡賦予人類的“超能力”。不過,無限提高放大倍數是不可...
碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉換頻率下,400V電壓時,碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間;8...
目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)等。那么,誰才是最有發...
該圖的縱軸是每個集成功能(半導體芯片)的組件(晶體管)數量。此外,由于它被寫成Log2,這表明晶體管的數量將呈指數增長。
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領域具有硅半導體無法比擬的優勢。然而,散熱問題是制約其...
隨著半導體制造技術的進一步發展,未來數年中裝備市場的宏觀增長速度會大概率繼續跑贏整體的器件市場。
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導體材料,是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
中芯熱成是國內首家專注于紅外量子點材料成像芯片領域的國家級高新技術企業,針對量子點、納米線、二維材料及鈣鈦礦等新型光電材料提供陣列型成像芯片制備、測試及...
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